PD - 94057B
IRHQ567110
抗辐射100V ，结合2N -2P -CHANNEL
抗辐射HEXFET
功率MOSFET
表面贴装（ LCC -28 ）
4
#
技术
产品概述
产品型号辐射二级R
DS （ ON）
IRHQ567110 100K拉德（SI ） 0.27Ω
IRHQ563110 300K拉德（SI ） 0.29Ω
IRHQ567110 100K拉德（SI ）
0.96
IRHQ563110 300K拉德（SI ）
0.98
I
D
4.6A
4.6A
-2.8A
-2.8A
通道
N
N
P
P
LCC-28
国际整流器公司的抗辐射
TM
HEXFET
MOSFET
技术提供高性能功率MOSFET
对于空间应用。该技术具有超过十年
经过验证的性能和可靠性，在卫星应用
系统蒸发散。这些装置已被表征为
总剂量和单粒子效应（ SEE ） 。该组合
低R和灰
DS （ ON）
和低门电荷降低功耗
在开关应用中，例如DC到DC转换损失
变流器和电动机控制。这些设备保留所有的
公认的MOSFET等电压的优点
控制，快速切换，易于并联和温度的
TURE电参数的稳定性。
产品特点：
n
n
n
n
n
n
n
n
n
n
硬化单粒子效应（ SEE ）
低R
DS （ ON）
低总栅极电荷
腾宽容
简单的驱动要求
易于并联的
密封式
陶瓷封装
表面贴装
重量轻
绝对最大额定值（每模）
参数
ID @ VGS = ±12V ， TC = 25℃连续漏电流
ID @ VGS = ±12V ， TC = 100 ℃的连续漏电流
IDM
PD @ TC = 25°C
VGS
EAS
IAR
EAR
dv / dt的
TJ
T英镑
漏电流脉冲
马克斯。功耗
线性降额因子
栅极 - 源极电压
单脉冲雪崩能量
雪崩电流
重复性雪崩能量
峰值二极管恢复的dv / dt
工作结
存储温度范围
Pckg 。安装面温度。
重量
对于脚注参考最后一页
300 （ 5秒）
0.89 （典型值）
预辐照
N沟道
4.6
2.9
18.4
12
0.1
±20
47
4.6
1.2
6.1
-55到150
o
P沟道
-2.8
-1.8
-11.2
12
0.1
单位
A
W
W / ℃，
±20
70
~
-2.8
1.2
7.1
V
mJ
A
mJ
V / ns的
C
g
www.irf.com
1
07/25/01
