位置：首页 > IC型号导航 > 首字符I型号页 > 首字符I的型号第837页 > IRHSLNA53064 > IRHSLNA53064 PDF资料 > IRHSLNA53064 PDF资料1第1页
PD-94401A
RAD- HARD
同步整流器器
表面贴装（ SMD - 2 ）
产品概述
产品编号辐射水平
IRHSLNA57064 100K拉德（SI ）
IRHSLNA53064 300K拉德（SI ）
IRHSLNA54064 600K拉德（SI ）
R
DS （ ON）
Q
G
6.1mΩ 160nC
6.1mΩ 160nC
6.1m
160nC
160nC
SMD-2
IRHSLNA57064
60V的N通道
IRHSLNA58064 1000K拉德（SI ）
7.1m
描述：
该SynchFet家庭联合包抗辐射的MOSFET
和肖特基二极管提供了设计师的创新，
用于开关稳压器的电路板空间节省解决方案，
电源管理应用。抗辐射的MOSFET
利用先进的加工技术，以实现
极低的导通电阻每硅片面积。结合
这项技术与国际整流器公司的低正向
降肖特基整流器产生一个非常有效的
装置适用于各种军事和
空间应用。
产品特点：
n
联合包N沟道抗辐射MOSFET
n
n
n
n
n
和肖特基二极管
理想的同步整流器的DC-DC
转换器高达75A的输出
低传导损耗
低开关损耗
低VF肖特基整流器
请参阅IRHSNA57064较低的
R
DS （ ON）
绝对最大额定值
参数
ID @ VGS = 12V ， TC = 25°C
ID @ VGS = 12V ， TC = 100℃
IDM
PD @ TC = 25°C
VGS
EAS
IAR
EAR
IF （ AV） @ TC = 25°C
IF （ AV） @ TC = 100℃
TJ ， TSTG
连续漏极或源极电流
连续漏极或源极电流
漏电流脉冲
马克斯。功耗
线性降额因子
栅极 - 源极电压
单脉冲雪崩能量
雪崩电流
重复性雪崩能量
肖特基体二极管的魅力。正向电流
肖特基体二极管的魅力。正向电流
Opeating和存储温度范围
Pckg 。安装面温度。
重量
*目前被封装的限制
对于脚注参考最后一页
预辐照
单位
75*
75*
300
250
2.0
±20
370
75
25
75*
75*
-55到150
300 （ 5秒）
3.3 （典型值）
A
W
W / ℃，
V
mJ
A
mJ
A
°C
g
www.irf.com
1
08/07/02
