PD - 93826D
抗辐射
功率MOSFET
直通孔（ TO- 257AA ）
产品概述
产品型号
IRHY57130CM
IRHY53130CM
IRHY54130CM
辐射水平
100K拉德（SI ）
300K拉德（SI ）
500K拉德（SI ）
R
DS （ ON）
0.07
0.07
0.07
I
D
18A*
18A*
18A*
18A*
QPL型号
JANSR2N7484T3
JANSF2N7484T3
JANSG2N7484T3
JANSH2N7484T3
IRHY57130CM
JANSR2N7484T3
100V N沟道
REF ： MIL -PRF-七百零二分之一万九千五
技术
5
IRHY58130CM1000K拉德（SI ） 0.085Ω
TO-257AA
国际整流器公司R5
TM
技术提供
高性能功率MOSFET，用于空间
applications.These器件的特点
单粒子效应（ SEE ）与有用的性能
高达80 （兆电子伏/ （毫克/平方厘米的LET
2
））。组合
中低R
DS （ ON）
和低门电荷降低
功率损耗在开关应用中，如DC
至DC转换器和电动机控制。这些设备
保留所有已确立的优势
MOSFET的诸如电压控制，快速开关，
方便的并联和温度稳定性
电气参数。
产品特点：
n
n
n
n
n
n
n
n
硬化单粒子效应（ SEE ）
超低低R
DS （ ON）
低总栅极电荷
简单的驱动要求
易于并联的
密封式
陶瓷鸡眼
重量轻
绝对最大额定值
参数
ID @ VGS = 12V ， TC = 25°C
ID @ VGS = 12V ， TC = 100℃
IDM
PD @ TC = 25°C
VGS
EAS
IAR
EAR
dv / dt的
TJ
T英镑
连续漏电流
连续漏电流
漏电流脉冲
马克斯。功耗
线性降额因子
栅极 - 源极电压
单脉冲雪崩能量
雪崩电流
重复性雪崩能量
峰值二极管恢复的dv / dt
工作结
存储温度范围
焊接温度
重量
*目前被封装的限制
对于脚注参考最后一页
18*
14
72
75
0.6
±20
87
18
7.5
1.4
-55到150
预辐照
单位
A
W
W / ℃，
V
mJ
A
mJ
V / ns的
o
C
g
300 （ 0.063英寸案件从10秒/ 1.6毫米）
4.3 （典型值）
www.irf.com
1
4/26/06
