FDS3570
2000年12月
FDS3570
80V N沟道的PowerTrench
MOSFET
概述
这N沟道逻辑电平MOSFET的设计
具体而言，以提高直流/直流整体效率
使用同步或传统转换器
开关PWM控制器。
这些MOSFET的开关速度和更低的栅极
收费比其他的MOSFET具有可比性
DS （ ON）
导致的DC / DC电源设计规格
具有较高的整体效率。
特点
9 A， 80 V.
DS （上
)
= 0.020
@ V
GS
= 10 V
R
DS （ ON）
= 0.023
@ V
GS
= 6 V.
快速开关速度。
高性能沟道技术极
低R
DS （ ON）
.
高功率和电流处理能力。
D
D
D
D
5
6
7
4
3
2
1
SO-8
符号
V
DSS
V
GSS
I
D
P
D
S
S
S
G
8
绝对最大额定值
漏源电压
栅源电压
漏电流
- 连续
- 脉冲
T
A
= 25 ° C除非另有说明
参数
评级
80
±20
（注1A ）
单位
V
V
A
W
9
50
2.5
1.2
1
-55到+150
功率消耗单操作
（注1A ）
（注1B ）
（注1C ）
T
J
, T
英镑
工作和存储结温范围
°C
热特性
R
θ
JA
R
θ
JC
热阻，结到环境
热阻，结到外壳
（注1A ）
（注1 ）
50
25
° C / W
° C / W
包装标志和订购信息
器件标识
FDS3570
设备
FDS3570
带尺寸
13’’
胶带宽度
12mm
QUANTITY
2500台
2000
仙童半导体国际
FDS3570版本C
