FDP8870
e
五月
2008
FDP8870
N沟道的PowerTrench
MOSFET
30V ， 156A ， 4.1mΩ
概述
这N沟道MOSFET的设计专门为
使用改进的DC / DC变换器的整体效率
同步或传统开关PWM
控制器。它已被优化的低门电荷，低
r
DS （ ON）
和快速的开关速度。
TMM
特点
r
DS （ ON）
= 4.1mΩ V
GS
= 10V ，我
D
= 35A
,
,
r
DS （ ON）
= 4.6mΩ V
GS
= 4.5V ，我
D
= 35A
高性能沟道技术极低
r
DS （ ON）
低栅极电荷
应用
DC / DC转换
高功率和电流处理能力
符合RoHS
（法兰）
漏
D
来源
漏
门
G
S
TO-220AB
FDP系列
MOSFET的最大额定值
T
C
= 25 ° C除非另有说明
符号
V
DSS
V
GS
漏源极电压
栅极至源极电压
漏电流
连续（T
C
= 25
o
C，V
GS
= 10V ）（注1 ）
I
D
连续（T
C
=
脉冲
E
AS
P
D
T
J
, T
英镑
单脉冲雪崩能量（注2 ）
功耗
减免上述
25
o
C
工作和存储温度
25
o
C,
V
GS
= 4.5V ）（注1）
V
GS
= 10V ，其中R
θJA
=
62
o
C / W ）
连续（T
AMB
=
25
o
C,
156
147
19
图4
300
160
1.07
-55至175
A
A
A
A
mJ
W
W/
o
C
o
C
参数
评级
30
±20
单位
V
V
热特性
R
θJC
R
θJA
热阻结到外壳TO- 220
热阻结到环境TO- 220 （注3 ）
0.94
62
o
o
C / W
C / W
包装标志和订购信息
器件标识
FDP8870
设备
FDP8870
包
TO-220AB
带尺寸
管
胶带宽度
不适用
QUANTITY
50个单位
2008飞兆半导体公司
FDP8870牧师A3
