FDP4020P
2000年9月
FDP4020P/FDB4020P
P沟道2.5V指定增强型场效应晶体管
概述
这种P沟道低门槛MOSFET一直
设计用作用于低电压，线性调整元件
输出。此外，该部分可以用作一个低电压
电源开启或关闭开关输出时，负载开关
管理。部分也可以结合使用
使用DC -DC转换器需要P通道。
特点
-16 ， -20 V.
DS （ ON）
= 0.08
@ V
GS
= -4.5 V
R
DS （ ON）
= 0.11
@ V
GS
= -2.5 V.
??在高温指定临界直流电气参数
温度。
高密度电池设计极低R
DS （ ON）
.
TO- 220和TO- 263 （ D2PAK ）封装为
通孔和表面贴装应用。
?? 175°C最高结温额定值。
S
G
D
一个bsolute米的Axim嗯评级
SYM BOL
V
DSS
V
摹SS
I
D
P
D
T
J
, T
英镑
R
θ
JC
R
θ
JA
漏-S环境允许的V oltage
摹吃-S环境允许的V oltage
漏电流
- 连续
- P ulsed
T
A
= 25 ° C除非otherw ISE注意
PARAM ETER
FD P4020P
-20
±
8
-16
-48
37.5
FD B 4020P
ü尼特
V
V
A
W
W /
°
C
°
C
°
C / W
°
C / W
总磷奥尔耗散@ T
C
= 25
°
C
减免上述25
°
C
操作摄像和S torage结tem温度范围
0.25
-65到+175
千卡人极特
千卡人热阻，结点到外壳
千卡人热阻，结点到A M关环境
（N OTE 1 ）
4
62.5
40
包装 utlines和O的rdering通知通报BULLETIN
evice M烯王
FDP 4020P
evice
FDP 4020P
鳗鱼大小
13’’
TAPE W ID
12m m
Q uantity
2500台
2000
仙童半导体国际
FDP4020P版本B
