FDP15N65 / FDPF15N65 650V N沟道MOSFET
典型性能特性
（续）
图7.击穿电压变化
与温度的关系
1.2
图8.导通电阻变化
与温度的关系
3.0
3.0
BV
DSS
（归一化）
漏源击穿电压
1.1
1.0
0.9
※
注意事项：
1. V
GS
= 0 V
2. I
D
= 250 A
R
DS （ ON）
（归一化）
R
DS （ ON）
,
导通电阻
漏源
（归一化）
漏源导通电阻
2.5
2.5
2.0
2.0
1.5
1.5
1.0
1.0
*注意：
※
注意事项：
= 10 V
1. V
GS
1.
2.
GS
= 10 V
A
V
I = 5.5
D
2. I
D
= 7.5 A
0.5
0.5
0.8
-100
-50
0
50
100
o
150
200
0.0
0.0
-100
-100
-50
-50
0
0
50
50
100
100
o
150
150
200
200
T
J
，结温[C]
o
T
T
J
，结温[
C]
，结温[
C]
J
图9-1 。对于FDP15N65安全工作区
图9-2 。对于FDPF15N65安全工作区
10
2
10
s
100
s
10
2
10
s
I
D
，漏电流[ A]
10
1
1毫秒
10毫秒
100毫秒
DC
I
D
，漏电流[ A]
100
s
10
1
1毫秒
10毫秒
100毫秒
DC
※
注意事项：
10
0
在这一领域
由R有限公司
DS （ ON）
10
0
在这一领域
由R有限公司
DS （ ON）
※
注意事项：
10
-1
1. T
C
= 25 C
2. T
J
= 150 C
3.单脉冲
o
o
10
-1
1. T
C
= 25 C
2. T
J
= 150 C
3.单脉冲
o
o
10
-2
10
0
10
1
10
2
10
3
10
-2
V
DS
，漏源电压[V]
10
0
10
1
10
2
10
3
V
DS
，漏源电压[V]
图10.最大漏极电流与外壳温度
18
15
I
D
，漏电流[ A]
12
9
6
3
0
25
50
75
100
125
150
T
C
，外壳温度[
℃
]
FDP15N65 / FDPF15N65版本A
4
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