TPS62260 ， TPS62261 ， TPS62262
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SLVS763 - 2007年6月
电气特性
在整个工作环境温度范围内，典型值是在T
A
= 25°C 。除非另有说明，规范适用
对于病情V
IN
= EN = 3.6V 。外部C成分
IN
= 4.7μF 0603 ，C
OUT
= 10μF 0603 ， L = 2.2μH ，看参数
测量信息。
参数
供应
V
IN
I
OUT
输入电压范围
V
IN
2.5 V至6 V
输出电流
V
IN
2.3 V至2.5 V
V
IN
2 V至2.3 V
I
OUT
= 0 mA时， PFM模式下启用
（ MODE = GND）的设备不能切换
I
Q
工作静态电流
I
OUT
= 0 mA时， PFM模式下启用
（ MODE = GND ）器件的开关，V
OUT
= 1.8 V,
SEE
(1)
I
OUT
= 0 mA时，开关无负载
（ MODE = V
IN
） ， PWM操作，V
OUT
= 1.8 V,
V
IN
= 3 V
I
SD
UVLO
关断电流
欠压锁定阈值
EN = GND
落下
升起
2 V
≤
V
IN
≤
6 V
2 V
≤
V
IN
≤
6 V
EN ， MODE = GND或VIN
1
0
0.01
240
185
0.8
1
140
20
2
0.6
600
MODE = V
IN
， PWM操作，固定输出
电压版本V
FB
= V
OUT
,
2.5 V
≤
V
IN
≤
6 V ， 0毫安
≤
I
OUT
≤
600毫安，见
MODE = GND ，器件在PFM模式下，电压
主动定位，见
(1)
PWM模式
从积极的EN时间达到95 ％的V
OUT
公称
时间斜坡从5％到95 ％的V
OUT
V
IN
= 3.6 V, V
IN
= V
OUT
= V
SW
， EN = GND ，
SEE
(3)
–1.5%
(2)
测试条件
民
2.3
典型值
最大
6
600
300
150
单位
V
mA
15
A
18.5
3.8
0.1
1.85
1.95
VIN
0.4
1
480
380
1.2
1
mA
A
V
ENABLE ， MODE
V
IH
V
IL
I
IN
高电平输入电压，EN
模式
低电平输入电压，EN
模式
输入偏置电流， EN ， MODE
高边MOSFET导通电阻
低边MOSFET的导通电阻
正向电流限制MOSFET
高侧和低侧
热关断
热关断迟滞
振荡器频率
可调输出电压范围
参考电压
反馈电压PWM模式
V
FB
反馈电压PFM模式
负载调整率
t
启动
t
坡道
I
LKG
(1)
(2)
(3)
启动时间
V
OUT
斜坡上升时间
漏电流为SW引脚
V
V
A
开关
R
DS （ ON）
I
LIMF
T
SD
V
IN
= V
GS
= 3.6 V ，T
A
= 25°C
V
IN
= V
GS
= 3.6 V
随着结温
降低结温
2 V
≤
V
IN
≤
6 V
m
A
°C
振荡器
f
SW
产量
V
OUT
V
REF
V
IN
V
mV
1.5%
2.25
2.5
兆赫
0%
1%
-0.5
500
250
0.1
%/A
s
s
1
A
在PFM模式下，内部参考电压被设定为典型值。 1.01 ×V
REF
。参见参数测量信息。
对于V
IN
= V
O
+ 0.6 V
在固定输出电压版本，内部电阻分压器网络是从FB引脚断开。
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