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TPS65160 ， TPS65160A
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SLVS566B - 2005年3月 - 修订2005年7月
电气特性（续）
V
IN
= 12 V ， SUP = V
IN
， EN1 = EN2 = V
IN
, V
S
= 15 V, V
逻辑
= 3.3 V ，T
A
= -40 ° C至85°C ，典型值是在T
A
= 25°C
（除非另有说明）
参数
内部振荡器
f
OSC
振荡器频率
FREQ = HIGH
FREQ = LOW
TPS65160
TPS65160A
1.136
I
SW
= 500毫安
I
SW
= 200毫安
2.8
V
SW
= 15 V
TPS65160
TPS65160A
V
OUT
升起
V
OUT
升起
10.6 V
≤
VIN
≤
11.6 V
为1 mA
22
18
1.146
10
100
10
3.5
1
23
19.5
0.0008
0.03
V
FB
升起
I
（汇）
= 500 A
VGD = 20 V
1.8
1.195
I
SW
= 500毫安
2
V
SW
= 0 V
10.6 V
≤
V
IN
≤
11.6 V
为1 mA
1.213
10
175
2.6
1
0.0018
0.037
0.05
Vs-12%
Vs-8%
Vs-4%
0.3
1
5
1.231
100
300
3.3
10
600
400
750
500
900
600
20
17.5
1.156
100
185
16
1
4.2
10
24.5
20.5
千赫
测试条件
民
典型值
最大
单位
升压转换器（V
S
)
V
S
V
FB
I
FB
r
DS （ ON）
I
最大
I
LIM
ILEAK
VOVP
输出电压范围
反馈调节电压
反馈输入偏置电流
N-MOSFET的导通电阻（ Q1 ）
P-MOSFET的导通电阻（ Q2 ）
最大的P-MOSFET峰值开关电流
N-MOSFET开关电流限制（ Q1 ）
开关漏电流
过压保护
线路调整
负载调整率
栅极驱动（ GD ）
V
GD
V
OL
栅极驱动门槛
(1)
GD输出低电压
GD输出漏电流
降压转换器（V
逻辑
)
V
逻辑
V
FBB
I
FBB
r
DS （ ON）
I
LIM
ILEAK
输出电压范围
反馈调节电压
反馈输入偏置电流
N-MOSFET的导通电阻（ Q1 ）
N-MOSFET开关电流限制（ Q1 ）
开关漏电流
线路调整
负载调整率
(1)
V
V
nA
m
A
A
%/V
%/A
V
V
A
V
V
V
nA
m
A
A
A
V
V
%/V
%/A
在GD信号被锁定为低电平时，主升压转换器输出电压V
S
在调节范围内。在GD信号复位时输入
电压或使升压转换器是循环的低。
4
