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150毫安微功耗高性能LDO
典型特征
除非另有说明，V
IN
= 5V ，T
A
= 25°C.
AAT3218
初始上电响应时间
(C
BYP
= 10nF的）
关断响应时间
(C
BYP
= 10nF的）
V
EN
(5V/div)
V
EN
(5V/div)
V
OUT
(1V/div)
TIME （ 400μS / DIV ）
V
OUT
(1V/div)
TIME （为50μs / DIV ）
开启时间从启用（V
IN
至今）
(C
BYP
= 10nF的）
1200
过电流保护
V
EN
(5V/div)
输出电流（mA ）
V
OUT
(1V/div)
TIME （为5μs / DIV ）
1000
800
600
400
200
0
-200
时间（ 20毫秒/ DIV ）
线路瞬态响应
6
5
3.04
3.03
2.90
2.85
2.80
2.75
2.70
2.65
负载瞬态响应
500
V
IN
4
3
2
1
0
3.02
3.01
3.00
输出电压（V）
输入电压（ V）
V
OUT
400
300
200
100
0
输出电流（mA ）
输出电压（V）
V
OUT
2.99
2.98
I
OUT
2.60
-100
时间（ 100μS / DIV ）
时间（ 100μS / DIV ）
6
3218.2006.04.1.8
