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150毫安微功耗高性能LDO
产生的功耗为150毫安负载
对于占空比的8.2％将是时21mW 。最后，
两个功耗等级可以概括为
确定在真正的总功耗
在不同的负载：
P
D（ TOTAL ）
= P
D(100mA)
+ P
D(150mA)
P
D（ TOTAL ）
= 156.6mW时21mW +
P
D（ TOTAL ）
= 177.6mW
最大功耗为AAT3218
在85 ℃的环境温度下操作是
211mW 。在本实施例的设备将具有一个总
177.6mW的功耗。这是完全在
温度极限为设备的安全操作。
(C
IN
, C
OUT
和C
BYP
），以及负载电路都
连接到公共的地平面。这类
布局简单应用工作哪里好
电源纹波抑制比，低自我噪音是
而不是设计问题。对于高性能应用程序
阳离子，不建议使用此方法。
在图1的布局的问题是
旁路电容器和输出电容器共享
同样地路径LDO稳压器接地引脚，
随着从高电流返回路径
加载回电源。该旁路电容
itor节点直接连接到LDO稳压器
内部基准，从而使该节点非常敏感
噪声或纹波。内部基准电压输出
馈送到误差放大器，因此任何噪声或纹波
从旁路电容器将随后
由误差放大器的增益进行放大。这
效果可提高可见的噪声LDO稳压
器的输出，以及减少，最大可能
BLE电源纹波抑制比。有PCB
旁路电容之间走线的阻抗
连接到接地端和LDO稳压器
接地连接。当在高负载电流
通过此路径返回，小纹波电压
创建送入了C
BYP
循环。
AAT3218
印刷电路板布局
建议
为了获得从最大性能
在AAT3218 LDO稳压器，慎重考虑
应给该印刷电路板（PCB）
布局。如果接地连接不正确
制作，电源纹波抑制比，低产出的自我
噪声和瞬态响应可能会受到影响。
图1显示了一种常见的LDO稳压器的布局
方案。 LDO稳压器，外接电容
V
IN
I
IN
I
负载
VIN
EN
LDO
VOUT
调节器
BYP
GND
I
GND
DC输入
C
IN
C
BYP
C
BYP
GND
环
C
OUT
R
负载
I
纹波
I
BYP
+噪声
GND
R
跟踪
R
跟踪
R
跟踪
R
跟踪
I
负载
返回+噪声和纹波
图1 ：通用LDO稳压器布局用C
BYP
纹波反馈回路。
图2示出了用于旁路的优选方法
和输出电容器的连接。对于低输出
噪声和尽可能高的电源纹波
排斥性能，这是至关重要的，连接
旁路和直接输出电容器到LDO稳压
软件模拟器接地引脚。此方法将消除任何
负载的噪音或通过纹波电流反馈
LDO稳压器。
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3218.2006.04.1.8
