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TPS768xxQ
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SLVS211L - 1999年6月 - 修订2006年1月
快速瞬态响应， 1 -A低压差稳压器
特点
输入电压范围： 2.7 V至10 V
低压差： 230 mV的典型，在1
(TPS76850)
2％的公差对指定条件
固定输出版本
漏极开路功率良好（见
TPS767xx
为
上电复位用200毫秒的延迟选项）
超低85
A
典型静态电流
可在1.5 V， 1.8 V， 2.5 V， 2.7 V， 2.8 V，
3.0 V ， 3.3 V ， 5.0 V固定输出和
可调节（ 1.2 V至5.5 V ）版本
快速瞬态响应
热关断保护
SOIC - 8 （ D）和TSSOP - 20 （ PWP ）套餐
包
（ TOP VIEW ）
描述
此装置被设计成具有快速瞬态
响应和稳定带10
F
电容器。这
组合提供高性能以
合理的成本。
由于PMOS器件表现为一个低的值
电阻器的电压差非常低（通常为
230毫伏为1 A为TPS76850的输出电流）
和成正比的输出电流。
此外，由于在PMOS导通元件是一个
电压驱动的装置中，静态电流非常
低并独立输出负载（典型地
85
A
在满量程输出电流， 0 mA至
1 ） 。这两个关键指标产生显著
提高工作寿命电池供电
系统。该LDO系列还具有关断
模式;施加一个TTL高电平信号EN（使能）
关断调节，可将静态
至小于1的电流
A
在T
J
= 25°C.
电源良好（ PG ）是一个积极的高输出，从而可以
被用来实现一个上电复位或
低电量指示灯。
TPS768xx
V
I
6
7
IN
OUT
PWP封装
（ TOP VIEW ）
GND
EN
IN
IN
1
2
3
4
8
7
6
5
PG
FB / NC
OUT
OUT
IN
PG
16
PG
14
13
+
0.1
F
V
O
C
o
10
F
5
EN
GND
3
OUT
GND / HSINK
GND / HSINK
GND
NC
EN
IN
IN
NC
GND / HSINK
GND / HSINK
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
20
19
18
17
16
15
14
13
12
11
GND / HSINK
GND / HSINK
NC
NC
PG
FB / NC
OUT
OUT
GND / HSINK
GND / HSINK
图1.典型应用配置
（固定输出选项）
NC - 无内部连接
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