UC3844 ， UC3845 ， UC2844 ， UC2845
V
CC
7(12)
+
V
in
+
0
+
7(11)
R
g
T
+
Q
R
COMP / LATCH
S
6(10)
5(8)
3(5)
R
S
串联栅极电阻R
g
将潮湿的任何高频寄生振荡
所造成的MOSFET的输入电容和任何系列布线电感
在栅极 - 源极电路。
Q1
Q1
6(1)
5(8)
3(5)
R
S
图腾柱输出可提供负基极电流增强
晶体管关断，以增加电容器C的
1
.
BASE
收费
切除
I
B
V
in
5.0V
REF
+
+
C
1
图25. MOSFET的寄生振荡
图26.双极晶体管驱动
8(14)
R
BIAS
R
V
CC
7(12)
+
隔离
边界
V
in
4(7)
+
2(3)
V
GS
波形
+
0
+
OSC
1.0mA
EA
2R
R
5.0V
REF
+
+
7(11)
T
S
Q
R
+
COMP / LATCH
6(10)
5(8)
R
3(5) C
R
S
N
S
I
pk
=
N
p
图27.隔离式MOSFET驱动器
从V
O
2.5V
R
i
R
d
C
I
2(3)
R
f
1(1)
R
f
≥
8.8 k
5(9)
+
EA
+
1.0mA
2R
R
对于任何稳定的电流模式拓扑结构，除了误差放大器补偿电路
升压和反激式转换器工作在连续电感电流。
图29.误差放大器补偿
50 ％的DC
+
0
25 ％的DC
N
P
N
S
V
（引脚1）
1.4
3 R
S
+
Q1
1(1)
MCR
101
2N
3905
2N
3903
5(9)
该MCR101可控硅必须选择小于0.5毫安保持在T
A（分钟）
.
简单的双晶体管电路来代替可控硅的使用，如图所示。所有
电阻是10千。
图28.锁存关断
从V
O
R
p
C
p
R
i
R
d
C
I
2(3)
R
f
1(1)
2.5V
+
+
1.0mA
EA
2R
R
5(9)
为稳定电流模式升压和反激式误差放大器补偿电路
拓扑连续电感电流工作。
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