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PD784214A , 784215A , 784216A , 784217A , 784218A , 784214AY , 784215AY , 784216AY , 784217AY , 784218AY
1.差异和模型中
PD784216A , 784216AY / 784218A , 784218AY
子系列
间的唯一的区别
PD784214A , 784215A , 784216A , 784217A , 784218A和谎言在内部
内存容量。
该
PD784214AY , 784215AY , 784216AY , 784217AY和784218AY是与另外一个I型号
2
C总线
控制功能。
该
PD78F4216A , 78F4216AY , 78F4218A和78F4218AY设置有一128字节/ 256KB闪存存储器
代替上述模型的掩模ROM 。
这些差异总结于表1-1中。
表1-1 。在模型之间的差异
PD784216A , 784216AY / 784218A , 784218AY子系列
产品型号
项
内部ROM
PD784214A,
PD784214AY
PD784215A,
PD784215AY
PD784216A,
PD784216AY
PD784217A,
PD784217AY
PD784218A,
PD784218AY
PD78F4216A,
PD78F4216AY
PD78F4218A,
PD78F4218AY
96 KB
(面膜
只读存储器)
3,584个字节
128 KB (掩膜ROM )
192 KB
(面膜
只读存储器)
12800字节
256 KB
(面膜
只读存储器)
128 KB
(闪
内存)
5,120个字节
提供
记
256 KB
(闪
内存)
12,800
字节
内部RAM
5,120个字节
8,192字节
内部存储器容量
切换寄存器
(IMS)的
ROM修正
未提供
未提供
提供
不
提供
不
提供
提供
外部访问状态
功能
电源电压
电动
特定网络阳离子
推荐
焊接条件
EXA销
未提供
提供
提供
V
DD
= 1.8 5.5 V
请参阅数据表为每个设备。
V
DD
= 1.9 5.5 V
未提供
提供
不
提供
未提供
提供
提供
TEST引脚
V
PP
针
提供
未提供
记
内置闪存容量和内部RAM的容量可以使用内部存储器来改变
容量切换寄存器( IMS ) 。
注意事项中有闪存和口罩之间的噪声抑制和噪声辐射的差异
ROM版本。当预先制造设置与闪速存储器的版本,然后应用
与掩膜ROM版本的大规模生产它,一定要进行的充分的评价
商业样品(不是工程样品)的掩膜ROM版本。
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数据表U14121EJ2V0DS00