恩智浦半导体
74AHC123A ; 74AHCT123A
双可再触发单稳多谐振荡器与重置
表7中。
动态特性
- 续
GND = 0 V ;测试电路见
图12 。
符号参数
t
RTRIG
重新触发
时间
条件
民
nA至NB ;
EXT
= 100 pF的;
R
EXT
= 1 kΩ的;
L
= 50 pF的;
SEE
图8
和
图10
V
CC
= 4.5 V至5.5 V
nA至NB ;
EXT
= 0.01
F;
R
EXT
= 1 kΩ的;
L
= 50 pF的;
SEE
图8
和
图10
V
CC
= 4.5 V至5.5 V
C
PD
C
L
= 50 pF的; F
i
= 1 MHz的;
动力
耗散
V
I
= GND到V
CC
电容
外
阻力
V
CC
= 2.0 V
V
CC
> 3.0 V
[5]
[5]
[4]
25
°C
典型值
[1]
最大
40 °C
+85
°C 40 °C
+125
°C
单位
民
最大
民
最大
-
60
-
-
-
-
-
ns
-
-
1.5
58
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
s
pF
外部元件
R
EXT
C
EXT
5
1
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
k
k
pF
pF
外
V
CC
= 2.0 V
电容V > 3.0 V
CC
[1]
[2]
[3]
[4]
典型值是在标称电源电压测量（V
CC
= 3.3 V和V
CC
= 5.0 V).
t
pd
是相同为T
PLH
和T
PHL
; C
EXT
= 0 pF的;
EXT
= 5 k.
对于C
EXT
≥
10纳法的脉冲宽度t的典型值
W
（微秒） = C
EXT
（ NF）
×
R
EXT
(k).
C
PD
被用于确定所述动态功耗P
D
(W).
P
D
= C
PD
×
V
CC2
×
f
i
+
∑
(C
L
×
V
CC2
×
f
o
）其中：
f
i
=以MHz输入频率;
f
o
=以MHz输出频率;
C
L
=以pF输出负载电容;
V
CC
在五=电源电压
[5]
C
EXT
没有任何限制。
74AHC_AHCT123A_2
NXP B.V. 2008保留所有权利。
产品数据表
牧师02 - 2008年1月18日
12 21
