ESH2B ， ESH2C & ESH2D
威世通用半导体
电气特性
T
A
= 25℃，除非另有说明
参数
最大正向
电压
最大DC反向电流在
额定阻断电压DC
最大反向恢复时间
典型的反向恢复时间
典型的存储电荷
典型结电容
注意：
（1 ）脉冲测试： 300微秒的脉冲宽度， 1 ％的占空比
在我
F
= 2 A
(1)
T
A
= 25 °C
T
A
= 125 °C
在我
F
= 0.5 A，I
R
= 1 A，I
rr
= 0.25 A
在我
F
= 2 A，V
R
= 30 V的di / dt = 50A / μs的，我
rr
= 10 ％ IRM牛逼
J
= 25 °C
T
J
= 100 °C
在我
F
= 2 A，V
R
= 30 V的di / dt = 50A / μs的，我
rr
= 10 ％ IRM牛逼
J
= 25 °C
T
J
= 100 °C
在4.0伏，1兆赫
测试条件
符号
V
F
I
R
t
rr
t
rr
Q
rr
C
J
价值
0.93
2.0
50
25
35
55
20
35
30
单位
V
A
ns
ns
nC
pF
热特性
T
A
= 25℃，除非另有说明
参数
典型热阻
(1)
注意：
安装在P.C.B. （ 1）单位用8.0× 8.0毫米土地面积。
符号
R
θJA
R
θJL
ESH2B
ESH2C
65
20
ESH2D
单位
° C / W
额定值和特性曲线
(T
A
= 25
°C
除非另有规定编）
2.5
60
正向平均整流电流（ A）
峰值正向浪涌电流（ A）
0
25
50
75
100
125
150
175
2
50
40
1.5
30
20
1
0.5
10
0
0
1
10
100
铅温度（ ℃）
数
环，在60赫兹的
图1.最大正向电流降额曲线
图2.最大非重复峰值正向浪涌电流
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文档编号84649
17-Oct-05
