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特定网络阳离子
V
DD
= 2.7 4.5 V ，V
SS
= 0V ，钽= -20 75℃ ，除非另有说明
等级
参数
电源电压
寄存器的数据保持电压
输入漏电流
输出漏电流
工作电源电流
符号
V
DD
V
OH
I
LI
I
LO
IOPR
V
I
= V
DD
。见注5 。
V
I
= V
SS
。见注5 。
V
DD
= 3.5 V.见注4 。
见注4 。
静态电源电流
振荡器频率
外部时钟频率
振荡器的反馈电阻
TTL
高电平输入电压
低电平输入电压
高电平输出电压
低电平输出电压
CMOS
高电平输入电压
低电平输入电压
高电平输出电压
低电平输出电压
漏极开路
低电平输出电压
施密特触发器
上升沿阈值电压
下降沿阈值电压
V
T+
V
T–
见注3 。
见注3 。
0.5 V
DD
0.2 V
DD
0.7 V
DD
0.3 V
DD
0.8 V
DD
0.5 V
DD
V
V
V
OLN
I
OL
= 6.0毫安。
—
—
V
SS
+ 0.4
V
V
IHC
V
ILC
V
OHC
V
OLC
见注释2 。
见注释2 。
I
OH
= -2.0毫安。见注释2 。
I
OH
= 1.6毫安。见注释2 。
0.8 V
DD
V
SS
V
DD
– 0.4
—
—
—
—
—
V
DD
0.2 V
DD
—
V
SS
+ 0.4
V
V
V
V
V
IHT
V
ILT
V
OHT
V
OLT
见注1 。
见注1 。
I
OH
= -3.0毫安。见注1 。
I
OL
= 3.0毫安。见注1 。
0.5 V
DD
V
SS
2.4
—
—
—
—
—
V
DD
0.2 V
DD
—
V
SS
+ 0.4
V
V
V
V
I
Q
f
OSC
f
CL
Rf
休眠模式下，
V
OSC1
= V
CS
= V
RD
= V
DD
测定的晶体，
47.5 ％的占空比。
见注6 。
条件
分钟。
2.7
2.0
—
—
—
—
—
1.0
1.0
0.7
典型值。
3.5
—
0.05
0.10
3.5
—
0.05
—
—
—
马克斯。
4.5
6.0
2.0
5.0
—
7.0
20.0
8.0
8.0
3.0
A
兆赫
兆赫
M
V
V
A
A
mA
单位
笔记
1. D0至D7 ， A0 ， CS ， RD ， WR ， VD0到VD7 ， VA0到VA15 ， VRD ， VWR和VCE是TTL电平输入。
2. SEL1是CMOS电平输入。 YD ， XD0到XD3 ， XSCL ， LP ， WF ， YDIS是CMOS电平输出。
3. RES为施密特触发器输入。在RES的脉宽必须至少为200
s.
注意，以上的几秒钟的脉冲将
引起的直流电压被施加到液晶显示面板。
4.
f
OSC
= 10 MHz时，无负载（无显示内存） ，内置字符发生器， 256
×
200像素的显示屏。
通过大约为1mA减少通过设置两个CLO和显示关闭。
操作电源电流可
5. VD0到VD7和D0至D7具有内部反馈电路，以便如果输入变为高阻抗，对输入立即状态
在此之前，将被保持。由于反馈电路，当输入是处于中间状态时的输入电流的流动。
6.由于所述振荡电路的输入偏置电流是在顺序
A,
设计印刷电路板，以减少漏电流。
S1D13305系列
技术手册
爱普生
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