PD85035-E
PD85035S-E
RF功率晶体管， LDMOST塑料系列
N沟道增强模式横向的MOSFET
目标特定网络阳离子
特点
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优良的热稳定性
常见源配置
P
OUT
= 35W与14.9分贝增益@ 870MHz的/
13.6V
塑料包装
ESD保护
符合2002/ 93 / EC欧洲
指示
PowerSO-10RF
（形成铅）
描述
该PD85035 -E是一种常见的源N沟道，
增强模式横向场效应RF功率
晶体管。它是专为高增益，宽带
商业和工业应用。它
在共源模式工作在13.6V
高达1千兆赫的频率。 PD85035 -E自夸
ST的的优异的增益，线性度和可靠性
最新的LDMOS技术安装在第一个真正的
SMD塑料RF功率封装， PowerSO - 10RF 。
PD85035 -E的卓越线性度性能
使其成为车载移动无线电的理想解决方案。
该PowerSO - 10塑料封装，设计
提供高可靠性，是第一个ST JEDEC
批准的，高功率SMD封装。它一直
专为RF的需求，并提供最优化
出色的RF性能和易于装配。
安装建议在使用
www.st.com/rf/ （查找应用笔记AN1294 ）
PowerSO-10RF
（直引线）
图1 。
引脚连接
来源
门
漏
表1中。
设备简介
产品型号
PD85035-E
PD85035S-E
PD85035TR-E
PD85035STR-E
包
PowerSO - 10RF （形成铅）
PowerSO - 10RF （直引线）
PowerSO - 10RF （形成铅）
PowerSO - 10RF （直引线）
REV 1
填料
管
管
磁带和卷轴
磁带和卷轴
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www.st.com
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2007年5月
这是要发展就预见到了新产品的初步信息。详细信息如有变更，恕不另行通知。
