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*绝对最大额定值连续超出其可能会损坏设备的价值。暴露于这些条件或
以外的指示的条件可能器件的可靠性产生不利影响。在绝对最大额定条件下的功能操作不
暗示。
降额 - SOIC封装： - 7毫瓦/°C， 65 °至125°C
TSSOP封装：
6.1毫瓦/ _C从65_至125_C
最大额定值*
符号
V
CC
V
OUT
T
英镑
I
CC
I
OK
I
OUT
V
in
P
D
I
IK
储存温度
功率消耗在静止空气中，
直流电源电流，V
CC
和GND引脚
直流输出电流，每个引脚
输出二极管电流
输入二极管电流
直流输出电压
直流输入电压
直流电源电压
参数
SOIC封装
TSSOP封装
- 0.5 V
CC
+ 0.5
- 65至+ 150
- 0.5 + 7.0
- 0.5 + 7.0
价值
20
±
50
±
25
±
20
500
450
单位
mW
mA
mA
mA
mA
_C
V
V
V
DC电气特性
推荐工作条件
符号
符号
I
OPD
I
CCT
V
OH
V
OL
V
IH
I
CC
V
CC
V
IL
V
OUT
I
IN
t
r
, t
f
V
in
T
A
输出漏电流
静态电源电流
最大静态电源
当前
最大输入漏
当前
最底层
输出电压
V
IN
= V
IH
或V
IL
最小高级别
输出电压
V
IN
= V
IH
或V
IL
最大低电平输入
电压
最低高电平输入
电压
输入上升和下降时间
工作温度
直流输出电压
直流输入电压
直流电源电压
参数
参数
V
IN
= 5.5 V或
GND
V
OUT
= 5.5V
输入： V
IN
= 3.4V
V
IN
= V
CC
或GND
V
IN
= V
IH
或V
IL
I
OL
= 4毫安
I
OL
= 8毫安
V
IN
= V
IH
或V
IL
I
OL
= 50μA
V
IN
= V
IH
或V
IL
I
OH
=
4mA
I
OH
=
8mA
V
IN
= V
IH
或V
IL
I
OH
=
50μA
测试条件
V
CC
=5.0V
±0.5V
http://onsemi.com
0至5.5
V
CC
(V)
0.0
5.5
5.5
3.0
4.5
3.0
4.5
3.0
4.5
3.0
4.5
3.0
4.5
5.5
3.0
4.5
5.5
40
民
4.5
0
0
0
2.58
3.94
民
2.9
4.4
1.2
2.0
2.0
T
A
= 25°C
+ 85
最大
V
CC
5.5
5.5
20
典型值
0.0
0.0
3.0
4.5
NS / V
单位
_C
V
V
V
±
0.1
1.35
0.36
0.36
0.53
0.8
0.8
最大
0.5
2.0
0.1
0.1
2.48
3.80
民
2.9
4.4
1.2
2.0
2.0
T
A
≤
85°C
该器件包含保护
电路，以防止损坏
由于高静电压或电
场。但是，必须注意事项
要注意避免的任何应用程序
电压比额定最大高
电压，这种高阻抗税务局局长
CUIT 。为了正常工作，V
in
和
V
OUT
应限制到
范围GND
v
(V
in
或V
OUT
)
v
V
CC
.
未使用的输入必须始终
绑定到适当的逻辑电
电平（例如， GND或V
CC
).
未使用的输出必须悬空。
±
1.0
1.50
0.44
0.44
0.53
0.8
0.8
最大
5.0
0.1
0.1
20
2.34
3.66
民
2.9
4.4
1.2
2.0
2.0
T
A
≤
125°C
±
1.0
1.65
0.52
0.52
0.53
0.8
0.8
最大
0.1
0.1
10
40
单位
mA
μA
μA
μA
V
V
V
V
3
