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MX29LV002C / 002NC T / B
2M- BIT [ 256K ×8 ] CMOS单电压
3V ONLY FLASH MEMORY
特点
扩展单 - 电源电压范围2.7V至3.6V
262,411 x 8
单电源工作
- 仅3.0V的读取，擦除和编程操作
手术
快速存取时间： 70 /为90ns
低功耗
- 20毫安最大工作电流
- 0.2uA的典型待机电流
命令寄存器架构
- 字节编程（ 9US典型值）
- 扇区擦除（扇区结构16K字节×1 ，
8K字节×2 ， 32K字节的X1 ，和64K字节×3）
自动擦除（芯片&部门）和自动编程
- 自动擦除扇区的任意组合
擦除挂起功能。
- 自动编程，并在指定的验证数据
地址
擦除暂停/删除恢复
- 挂起扇区擦除操作来读取数据，
或程序的数据，即不被擦除任何部门，
然后恢复擦除。
状态回复
- 数据＃轮询&切换位检测方案
和擦除操作完成。
就绪/忙＃引脚（ RY / BY ＃ ）
- 提供了检测程序的硬件方法或
擦除操作完成。
扇区保护
- 硬件的方法来禁用的任意组合
从编程或擦除操作部门
- 临时机构撤消允许代码修改
先前锁定行业
CFI （通用闪存接口）兼容
- 闪存器件参数存储在设备上，并
提供主机系统访问
100000最小擦除/编程周期
闭锁保护100mA的电流从-1V到Vcc + 1V
引导扇区架构
- T =热门引导扇区
- B =底部引导扇区
硬件RESET ＃引脚（仅适用于29LV002C ）
- 复位内部状态机读取模式
包装类型：
- 32引脚的TSOP （类型1）
- 32引脚PLCC
20年的数据保存
概述
该MX29LV002C T / B为2兆比特的闪存
组织为256K字节的8位。 MXIC的Flash memo-
里斯提供最具成本效益和可靠的读/写
非易失性随机存取存储器。该MX29LV002C
T / B封装采用32引脚TSOP和32引脚PLCC 。这是
旨在重新编程和擦除系统或
在标准EPROM编程器。
标准MX29LV002C T / B提供了存取时间为
高速微处理器的速度是70ns的，让操作
处理机无需等待。为了消除总线conten-
化，在MX29LV002C T / B具有独立的芯片使能
（ CE ＃ ）和输出使能（ OE ＃ ）控制。
旺宏的快闪记忆体扩充功能， EPROM
在电路中的电擦除和编程。该
MX29LV002C T / B使用一个命令寄存器管理
此功能。命令寄存器允许100 ％
P / N ： PM1204
TTL电平控制输入和固定电源电平
擦除和编程过程中同时保持马克西
妈妈EPROM的兼容性。
旺宏Flash技术可靠地保存存储器的内容
即使经过10万次擦除和编程。该MXIC
存储单元的设计优化了擦除和编程
机制。先进此外，组合
隧道氧化处理，且内部电场
擦除和编程操作产生可靠的赛扬
保鲜。该MX29LV002C T / B采用的是2.7V 3.6V的VCC
提供给执行高可靠性擦除和经销商
编程/擦除算法。
最高程度的闩锁保护的实现
与旺宏的专利非外延工艺。闭锁亲
tection证明为应力高达100毫安的
地址和数据引脚从-1V到Vcc + 1V 。
REV 。 1.0 ，六月30 ， 2005年
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