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MX29LV040C
硅-ID的读命令
闪存被用于在应用中使用
本地CPU改变存储器的内容。因此，制造
商和设备代码必须是可访问的时
设备驻留在目标系统。 PROM编程
聚体通常通过提高A9访问特征码
高电压（VID） 。然而，复高电压
年龄到地址线通常不希望的系统
设计实践。
该MX29LV040C含有硅ID读操作
以柔顺传统PROM编程方法。
通过写入读取芯片的ID开始运作
命令序列到命令寄存器。跟着
哞哞叫的命令写入，读取周期与A1 = VIL ，
A0 = VIL检索C2H的制造商代码。读
循环A1 = VIL ， A0 = VIH返回的设备代码
4FH的MX29LV040C 。
自动芯片擦除不需要的设备
是完全预编程执行盟之前
tomatic芯片擦除。当执行自动排屑
擦除，设备将自动编程和验证
整个存储器为一个全零的数据模式。当
设备自动验证，以包含一个全零的
模式，自定时芯片擦除和验证开始。该
擦除和验证操作均完成时，数据
上Q7是"1" ，此时该装置返回到
阅读模式。该系统不要求提供任何
在这些操作过程的控制和定时。
当使用自动芯片擦除算法，记
该擦除自动终止充足时，
擦除余量已经实现对存储器阵列（无
擦除确认命令是必需的） 。
如果擦除操作是不成功的，在数据
Q5是"1" （见表6 ），表明擦除操作
超过内部时序限制。
自动擦除开始上的上升沿
最后WE＃或CE ＃脉冲，先在发生者为准
命令序列和终止时的数据上
Q7是"1"和Q6的数据停止切换两CON-
secutive读周期，此时设备返回
为读模式。
SET -UP自动排屑/扇区擦除
COMMANDS
芯片擦除是六总线周期操作。有两种
＆ QUOT ;解锁＆ QUOT ;写周期。这些后面是写
＆ QUOT ;建立＆ QUOT ;命令80H 。两个＆ QUOT ;解锁＆ QUOT ;写赛扬
克莱斯再其次是芯片擦除命令10H进行。
表5.膨胀硅ID CODE
引脚
生产代码
器件代码
A0
VIL
A1
VIL
VIH
Q7
X
0
0
Q6 Q5 Q4
1
1
0
0
0
0
0
0
0
Q3 Q2 Q1 Q0代码（十六进制）
0
1
0
0
1
0
1
1
0
0
1
0
C2H
4FH
00H （无保护）
VIH VIL
扇区保护验证VIL
P / N ： PM1149
REV 。 1.3 ，四月24 ， 2006年
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