STLD20D
元器件选择
表5 。
名字
参考选择
REF
LQH32CN4R7M33
LQH32CN100K33
高度（mm ）
2
2
1.55
1.55
1.5
1.5
1.65
1.65
1.8
1.855
1.5
1.5
10
L典型值（ μH ）
4.7
10
4.7
10
4.7
10
10
15
10
10
6.8
10
10
DCR （ Ω ）
0.15
0.3
0.15
0.3
0.15
0.23
0.205
0.285
0.15
0.294
0.13
0.18
0.67
I
SAT
(A)
0.65
0.45
0.65
0.45
0.77
0.55
0.74
0.62
1.3
0.7
0.8
0.65
0.49
村田
LQH32CN4R7M53
LQH32CN100K53
LP04815-472MXC
Coilcraft公司
LP04815-103MXC
744031100
商Wurth Elektronik
（WE）
744031150
744042100
CDRH2014-100
墨田区
CLS4D14
CLS4D14
TDK
VLF3010AT 100HR49
屏蔽
7.2
C
IN
和C
OUT
电容器的选择
的电容值和它的固有电阻（ESR）必须按顺序进行选择，以
减小输出纹波。
所述陶瓷电容器技术提供的空间和之间的最佳折衷
性能（低ESR值，额定电压） 。不过，它们的值改变与
时间以及温度，直流偏置电压和开关频率。因此它可能是
需要使用更高电容值，如果低纹波是绝对需要。
7.3
1.3 。 D，升压二极管的选择
该二极管的选择是基于两个主要标准：
●
●
低损耗，以获得最佳的转换器效率
机械尺寸
7.3.1
电气特性
V
RRM
（反向重复峰值电压）是在选择首先要考虑的参数
升压二极管。其值必须总是高于反向电压较高（Ⅴ
R
）发生
在稳定状态。需要注意的是，一些瞬态电压的换向过程中发生
期间由于PCB的漏电感。通常，具有最大的功率二极管
反向电压等于或仅仅高于20V西装莫属。因此，肖特基二极管
技术都可以使用。
肖特基二极管具有低正向电压，然而它们有一个额外的反向
目前可提供在高温环境下的额外损失。
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