电气特性
STS4DNFS30
2
电气特性
（ TCASE = 25°C除非另有说明）
表4 。
符号
V
（ BR ） DSS
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
R
DS （ ON）
开/关状态
参数
漏源
击穿电压
测试条件
I
D
= 250μA ，V
GS
= 0
分钟。
30
1
10
± 100
1
0.044
0.055
0.085
典型值。
马克斯。
单位
V
A
A
nA
V
V
DS
=最大额定值
零栅极电压
漏电流（V
GS
= 0) V
DS
=最大额定值，T
C
=125°C
门体漏
电流（V
DS
= 0)
V
GS
= ± 20V
栅极阈值电压V
DS
= V
GS
, I
D
= 250A
静态漏源
阻力
V
GS
= 10V ，我
D
= 2A
V
GS
= 5V ，我
D
= 2A
表5 。
符号
I
R (1)
STATIC
参数
反向漏
当前
测试条件
T
j
= 25°C
T
j
= 100°C
T
j
= 25°C
T
j
= 125°C
V
R
= V
RRM
I
F
= 2A
I
F
= 4A
分钟。
典型值。
马克斯。
200
15
0.45
0.375
0.53
0.51
单位
A
mA
V
V
V
V
6
0.325
0.43
V
F (1)
零栅极电压
漏电流（V
GS
= 0) T
j
= 25°C
T
j
= 125°C
1.脉冲测试： TP = 380μs ，
δ
< 2％。为了评估损失使用下面的方程的导通：
P
=
0.24
×
I
F
(
AV
)
+
0.068I
2
(
RMS
)
F
表6 。
符号
g
fs
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
动态
参数
前锋
跨
输入电容
输出电容
反向传输
电容
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
测试条件
V
DS
= 10V ，我
D
=2A
分钟。
典型值。
5
330
115
28
4.7
1.2
2.1
马克斯。
单位
S
pF
pF
pF
nC
nC
nC
V
DS
= 25 V ， F = 1兆赫，V
GS
= 0
V
DD
= 15V ，我
D
= 4.5A,
V
GS
= 5V
（见
图13）
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