DTB543EE / DTB543EM
晶体管
-500mA / -12V低V
CE
（SAT）数字晶体管
（具有内置电阻体）
DTB543EE / DTB543EM
应用
逆变器，接口，驱动器
特征
1) V
CE
（饱和）比常规产品较低。
2 ）内置偏置电阻实现的配置
无需连接外部输入逆变器电路
电阻（见等效电路） 。
3）偏置电阻组成的薄膜电阻器
完全隔离，以允许的正偏压
输入。它们还具有几乎优点
完全消除了寄生效应。
4）仅在开/关的条件需要被设置
操作，使装置的设计容易。
结构
PNP外延plannar硅晶体管
（电阻内置型）
外形尺寸
（单位：毫米）
DTB543EE
1.6
0.3
(3)
0.8
1.6
0.7
0.55
0.2
0.5 0.5
1.0
EMT3
JEITA号（ SC- 75A ）
JEDEC号<SOT - 416>
0.2
0.15
0.1Min.
(2)
(1)
（1）接地
（2）在
（3）输出
每根导线具有相同的尺寸
缩写符号： X13
DTB543EM
0.2
0.8
1.2
1.2
0.32
(3)
0.2
0.22
(1)(2)
0.4 0.4
0.8
0.13
0.5
（1）在
（2）接地
（3）输出
VMT3
每根导线具有相同的尺寸
缩写符号： X13
绝对最大额定值
(Ta=25°C)
参数
电源电压
输入电压
集电极电流
功耗
结温
储存温度
1
2
包装规格
范围
包
单位
V
V
mA
mW
C
C
EMT3
TAPING
VMT3
TAPING
符号
V
CC
V
IN
I
C（最大值）
P
D
Tj
TSTG
DTB543EE DTB543EM
12
12
to
+10
500
150
150
55
to
+150
包装类型
CODE
TL
3000
T2L
8000
产品型号
DTB543EE
DTB543EM
基本订购
单位（件）
1
内置晶体管的特性。
2
每个端子安装在一个推荐的土地。
电气特性
(Ta=25°C)
参数
输入电压
输出电压
输入电流
输出电流
直流电流增益
跃迁频率
输入阻抗
电阻率
内置晶体管的特性。
等效电路
马克斯。
0.5
300
1.4
0.5
6.11
1.2
单位
V
mV
mA
A
兆赫
k
条件
V
CC
=
5V,
I
O
=
100A
V
O
=
0.3V,
I
O
=
20mA
I
O
/I
I
=
100mA
/
5mA
V
I
=
5V
V
CC
=
12V,
V
I
=0V
V
O
=
2V,
I
O
=
100mA
V
CE
=
10V,
I
E
= 5毫安中，f = 100MHz的
IN
GND （+）
OUT
IN
R
2
GND （+）
R
1
OUT
符号
V
我（关闭）
V
我（上）
V
O（上）
I
I
I
O（关）
G
I
f
T
R
1
R
2
/R
1
分钟。
2.5
115
3.29
0.8
典型值。
60
260
4.7
1.0
R
1
= 4.7kΩ上/ R
2
=4.7k
1/1
