DS5002FP
62
SRAM 。
CE3
是锂和支持时，将保持在逻辑高电平V
CC
低于V
LI
.
CE4
-
芯片使能4.该芯片能够提供存取内存四分之一32K块。它连接到
芯片使能一个SRAM的输入。当MSEL = 0时，该信号是未使用的。
CE4
是锂和支持
当将保持在逻辑高电平V
CC
低于V
LI
.
PE1
-
外设使能1。访问地址0000H和3FFFH当PES位之间的数据存储器
被设置为逻辑1。常用于芯片启动一字节宽的实时时钟，如DS1283 。
PE1
is
锂电池支持，并会保持在逻辑高电平时， V
CC
低于V
LI
。连
PE1
以电池供电的
功能而已。
PE2
-
外设使能2.访问地址4000H和7FFFh表示，当PES位之间的数据存储器
被设置为逻辑1 。
PE2
是锂和支持时，将保持在逻辑高电平V
CC
低于V
LI
.
CONNECT
PE2
仅由电池供电的功能。
PE3
-
外设使能3.访问地址为8000H和BFFFH当PES位之间的数据存储器
被设置为逻辑1 。
PE3
不是锂备份，并且可以连接到任何类型的外围设备的功能。如果
连接到电池供电的芯片，就需要额外的电路以保持在一个芯片使能
非活动状态时， V
CC
＆ LT ; V
LI
.
PE4
-
外设启用4.访问地址C000H -FFFFH的数据存储器时， PES位
被设置为逻辑1 。
PE4
不是锂备份，并且可以连接到任何类型的外围设备的功能。如果
连接到电池供电的芯片，就需要额外的电路以保持在一个芯片使能
非活动状态时， V
CC
＆ LT ; V
LI
.
PROG
-
上调用一个下降沿的引导加载程序。这个信号应抖使得仅
一个边缘被检测。如果连接到地，微将进入引导加载上电。这
信号被上拉到内部。
VRST
-
该I / O引脚（漏极开路输出，内部上拉）表示电源电压（V
CC
）下降
下面的V
CCmin
级别和微观处于复位状态。当这种情况发生时， DS5002FP将推动这一
引脚为逻辑0。因为是微型锂电池供电的，这个信号即使在V保证
CC
=0V.
因为它是一个I / O引脚，它也将强制复位，如果拉低到外部。这允许多个零件
同步他们的掉电复位。
PF
-
这个输出变为逻辑0 ，以指示该微已经切换到备份锂。这
对应于V
CC
＆ LT ; V
LI
。因为微是锂的支持下，该信号，即使在V保证
CC
= 0V 。这个信号的正常应用是控制锂供电电流来隔离电池支持
非电池供电的功能函数。
MSEL -
内存选择。该信号控制所述存储器的大小选择。当MSEL = + 5V时，
DS5002FP希望用32K ×8的SRAM 。当MSEL = 0V时， DS5002FP预计使用128K ×8
SRAM 。不管分区，模式等MSEL必须连接
SDI -
自毁输入。该引脚上的高电平有效使一个解锁过程。这导致了
破坏矢量RAM ，加密密钥，以及电力从V损失
CCO
。该引脚应
如果不使用接地。
CE1N
-
这是一个非电池供电的版本
CE1
。这是不是非常有用，因为可以DS5002FP
不能用的EPROM用于由于其加密。
NC -
不要连接。
78
3
22
23
32
42
43
14
53
72
73
5 29
