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输出晶体管的选择
关键的参数选择MOSFET与TP2150B用什么漏极时要考虑
源极击穿电压（ BVDSS ） ，栅极电荷（Qg ）和导通电阻（R
DS （ ON）
).
需要MOSFET的BVDSS额定值将被选择，以适应电压摆动
V之间
SPOS
和V
SNEG
以及引起的电压振荡的任何电压的峰由于开关
瞬变。用“好”的电路板布局，一个BVDSS是比VPP和VNN高50％
电压摆幅是一个合理的起点。 BVDSS额定值应通过测量来验证
实际的电压经历在最终电路中的MOSFET 。
理想的情况是低的Qg （总栅极电荷）和低R
DS （ ON）
期望用于放大器的最佳性能。
不幸的是，这些是由于R相互矛盾的要求
DS （ ON）
成反比的Qg为一
典型的MOSFET。设计权衡成本与性能之一。较低的
DS （ ON）
手段
我低
2
R
DS （ ON）
损失，但相关的更高的Qg转化为更高的开关损耗（损失
=的Qg ×10× 1.2MHz的） 。较低的
DS （ ON）
还意味着更大的硅芯片和更高的成本。较高
R
DS （ ON）
意味着更低的成本和更低的开关损耗，但更高的本人
2
R
DSON
损失。
栅极电阻的选择
栅极电阻，R
G
，用来控制MOSFET开关的上升/下降时间，从而减少
电压过冲。他们还消散从移动栅极产生的电力的一部分
MOSFET的切换，每次充电。若R
G
太小，过度的热可以在生成
该驱动程序。大的栅极电阻会导致较慢的MOSFET开关，从而导致更高的闲置
电流。
推荐的MOSFET
下面的器件能够实现全面的性能，无论是在失真方面和
效率，对指定的负载阻抗和电压范围。
设备信息 - 推荐的MOSFET
产品型号
IRF520N
FQP13N10
STP14NF10
IRF530N
BUK7575-100A
STP24NF10
FQP16N15
FQP19N10
FDP2572
生产厂家
国际整流器器
飞兆半导体
意法半导体
国际整流器器
飞利浦半导体
意法半导体
飞兆半导体
飞兆半导体
飞兆半导体
BV
DSS
(V)
100
100
100
100
100
100
150
100
150
I
D
(A)
9.7
12.8
14
17
23
26
16.4
19
29
Q
g
（ NC ）
25(max.)
12
15.5
37(max.)
25
30
23
19
27
R
DS （ ON）
()
0.20 （最大）
0.142
0.16
0.09 （最大）
0.064
0.055
0.123
0.1
0.045
P
D
(W)
48
65
60
70
99
85
108
75
135
包
TO220
TO220
TO220
TO220
TO220
TO220
TO220
TO220
TO220
注：本设备列在提升电流能力不是为了推荐。
以下信息由系统开发代表定性数据使用
TP2150B连同还在Tripath TC2001处理器和相关联的MOSFET。
如最大电源电压和栅极电阻值的建议都依赖于
PCB的布局和元件的位置。栅极电阻值进行选择，实现了约
18-80mA从VPP电源的空闲电流。电源电流，该值是一个很好的妥协
之间的低功率效率和高频率的THD + N性能。如表2中所示
下面，增加了栅极电阻值会提高在高频的THD + N性能
费用空闲电流消耗。在BBM设置是在所有情况下为40ns 。但应理解
不同的MOSFET将具有不同的特征，将需要一些调整到
栅极电阻来达到同样的无功电流。
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TP2150B - MC / 1.7 / 06.04
