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8XC251SA / SB / SP /平方米高性能CHMOS单片机
表11. AC特性（续）
符号
T
RLRH
(2)
参数
RD ＃或＃ PSEN脉冲宽度
@ 12MHz的
@ 16兆赫
WR ＃脉冲宽度
@ 12MHz的
@ 16兆赫
ALE低到RD＃或PSEN ＃低
@ 12MHz的
@ 16兆赫
ALE高到地址保持
@ 12MHz的
@ 16兆赫
@最大F
OSC
(1)
民
146.6
105
146.6
105
58.3
37.5
83.3
62.5
106.6
65
0
（典型值） = 0 2
(5)
典型值= 2 18
5
10
Typ.=2
5
(5)
156.6
115
10
10
156.6
115
171.6
130
0
典型值。 = 0
(5)
Typ.=25
Typ.=25
(5)
2
最大
F
OSC
变量
民
2(1+N)
T
OSC
– 20
2(1+N)
T
OSC
– 20
最大
单位
ns
(4)
ns
(4)
ns
T
OSC
– 25
(1+2M)T
OSC
ns
(3)
ns
(4)
ns
ns
ns
18
10
T
WLWH
T
LLRL
(2)
T
lhax
T
RLDV
（ 2 ） RD ＃ / PSEN ＃低到有效的数据/指令
@ 12MHz的
@ 16兆赫
T
RHDX
（ 2 ）数据/指令的保持时间。后发生
RD ＃ / PSEN ＃被施加到V
OH
T
RLAZ
(2)
T
RHDZ
1
RD ＃ / PSEN ＃低到地址浮
指令浮动后RD ＃ / PSEN ＃高
商业@ 12 MHz和16 MHz的
快递@ 12 MHz和16 MHz的
2(1+N)
TOSC - 60
T
RHDZ
2
数据浮动后RD ＃ / PSEN ＃高
@ 12MHz的
@ 16兆赫
RD ＃ / PSEN ＃高到ALE高（指令）
@ 12MHz的
@ 16兆赫
RD ＃ / PSEN ＃高到ALE高（数据）
@ 12MHz的
@ 16兆赫
WR ＃高到ALE高
@ 12MHz的
@ 16兆赫
ns
2TOSC - 10
ns
10
ns
2T
OSC
- 10
ns
2T
OSC
+ 5
T
RHLH
1
T
RHLH2
T
WHLH
注意事项：
1.为16 MHz 。
2.规格为PSEN ＃是相同的为RD＃ 。
3.在该式中，M =等待状态（0或1） ，ALE的数量。
4.在该式中，N =等待状态（0,1,2 ，或3）对RD＃ / PSEN ＃ / WR＃数量。
5. “典型”的规格是未经测试，不能保证。
20
初步
