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8XC251SA / SB / SP /平方米高性能CHMOS单片机
表9. DC在V特性
CC
= 4.5 - 5.5 V （续）
符号
V
OH
1
参数
输出高电压
（端口0外部
地址）
输出高电压
（ 2端口在外部
网页中的地址
模式）
逻辑0输入电流
租金（端口1 ， 2 ， 3 ）
输入漏电流
租（端口0 ）
逻辑1到0的跃迁
化电流（端口1 ，
2, 3)
RST下拉电阻
器
引脚电容
掉电电流
待机模式下电流
工作电流
40
10
（注4 ）
10
（注4 ）
12
（注4 ）
45
（注4 ）
20
15
80
民
V
CC
– 0.3
V
CC
– 0.7
V
CC
– 1.5
V
CC
– 0.3
V
CC
– 0.7
V
CC
– 1.5
-50
+/-10
-650
典型
最大
单位
V
测试条件
I
OH
= -200 A
I
OH
= -3.2毫安
I
OH
= -7.0毫安
I
OH
= -200 A
I
OH
= -3.2毫安
I
OH
= -7.0毫安
VIN = 0.45 V
0.45 < <输入电压V
CC
VIN = 2.0 V
V
OH
2
V
I
IL
I
LI
I
TL
A
A
A
R
RST
C
IO
I
PD
I
DL
I
CC
225
k
pF
A
mA
mA
F
OSC
= 16 MHz的
F
OSC
= 16 MHz的
F
OSC
= 16 MHz的
T
A
= 25 °C
注意事项：
1.在稳态（非瞬态）的条件下，我
OL
必须从外部限制如下：
我最大
OL
每个端口引脚： 10毫安
我最大
OL
每8位端口：
端口0
26毫安
端口1-3
15毫安
最大总I
OL
为
所有输出引脚
71毫安
如果我
OL
超过了试验条件，V
OL
可能超过相应的规格。不保证引脚
下沉比列出的测试条件更大的电流。
2.
在端口0和2的电容性负载可能导致以上0.4伏的低级别的寄生噪声脉冲
ALE和端口1 ，2和3的输出端的噪声，是由于外部总线电容放电到
端口0和端口2引脚时，这些引脚变高后低。在应用中，电容式
负载超过100 pF的，这些信号的噪声脉冲可以超过0.8V。这可能需要
符合ALE或其他信号与施密特触发器或CMOS电平输入逻辑。
在端口0和2的原因在V容性负载
OH
在ALE和PSEN ＃砸规格如下
化时，地址线正趋于稳定。
典型值是使用V获得
CC
= 5.0, T
A
= 25°C ，并不能保证。
3.
4.
初步
17
