MCS @ 51 CONTROLLER
EPROM安全
X = OGN'T CARE “
+
5V
f
VCC
安全功能包括一个“锁定”位的这
编程时否认通过任何电子访问
外部手段对片内程序存储器。
该位被设定为如图7所示的
设置和程序是一样的正常
EPROM编程，除了P2.6被保持在一个
逻辑高电平， PORL O，端口1和引脚P2.O - P2.3可
在任何状态下。其他引脚应在举行
“安全性”级别如表3所示。
一旦安全位被编程，它可以
只有清除了程序存储的全删除
ORY 。而它被编程，内部编程
存储器不能被读出时，该装置不能被
进一步编程，而且它
不能executeout的
externalprogrammemory 。
擦除EPROM ，
从而扫清了安全位，恢复设备的
全部功能。然后，它可以被重新编程。
o
PI
m
P2.0-
X
P2.3
P2.4
{:
VIM
P2,7
XTAU
m
XTAL1
VSS
PSEN
RST
fi
P2.5
P2.6
8751H
ALE
‘-
x
ALE / PROO
+
EAYPP
—
WH1
50毫安脉冲GND
*
7
*
272318-13
擦除特性
对EPROM的擦除开始发生时的
装置暴露于光的波长越短
比约4000埃。由于阳光
和荧光灯具有在此波长
范围，接触这些光源在一个EX-
往往时间（ 1周左右在阳光下，或3年
房间级荧光灯）可能会导致inadver-
10吨删除。如果一个应用程序科目设备
这种类型的曝光，因此建议的不透明
标签被放置在该窗口。
Figure7 。编程SecurityBit
该
推荐的擦除程序曝光
于紫外光（ 2537埃）至integrat-
编辑剂量至少15 W-秒/平方厘米。揭
EPROM为12000 PW / cm2的紫外线灯
等级为20 30分钟，在约一个距离
1英寸，就足够了。
擦除叶全1的状态数组。
EPROM编程和VERI网络阳离子特点
TA = 21 ° C到27 “C ; VCC = 5V ±10％ ; VSS = 0V
符号
VPP
IPP
1/TCLCL
TAVGL
TGHAX
TDVGL
TGHDX
TEHSH
TSHGL
TGHSL
TGLGH
tAVQV
TELQV
TEHQZ
参数
编程电压
编程电源电流
振荡器频率
地址设置到PROG低
PROG后的地址保持
数据建立到PROG低
数据保持后
P2.7 （ ENABLE ）高VPP
VPP安装程序PROG低
PROG VPP后举行
PROG宽度
地址到数据有效
ENABLE低到数据有效
数据浮动启用后，
民
20.5
4
46TCLCL
48TCLCL
48TCLCL
48TCLCL
48TCLCL
10
10
45
最大
21.5
30
6
盟
v
mA
兆赫
ps
55
48TCLCL
48TCLCL
ps
ms
o
48TCLCL
15
