TPD4113AK
保护功能的说明
(1)
欠压保护
该产品集成了欠压保护电路，以防止IGBT的经营
不饱和模式时， V
CC
电压或在V
BS
电压下降。
当V
CC
供电电压下降到本产品的内部设置（V
CC
UVD
=
11 V典型值） ，所有的IGBT
输出关机而不考虑投入。该保护功能具有滞后性。当
V
CC
紫外线辐射（ = 11.5 V典型值）达到比关机电压0.5 V更高，这款产品是
自动恢复和IGBT被输入导通/截止一次。
当V
BS
电源电压下降（Ⅴ
BS
UVD
=
9 V典型值） ，高侧IGBT输出关闭。
当V
BS
紫外线辐射（ = 9.5 V典型值）达到比关机电压0.5 V越高， IGBT是
接通/断开再由所述输入信号。
热关断
本产品采用热关断电路，以保护自己免受过度上涨
temperature.When此芯片的温度上升到内部设置TSD由于外部
原因或内部产生的热量全部IGBT输出关机而不考虑投入。这
保护功能具有滞后（ ΔTSD
=
50℃典型值） 。当芯片温度下降到TSD
ΔTSD ，
芯片会自动恢复和IGBT被输入导通/截止一次。
因为芯片只包含一个温度检测用的位置，当芯片加热，由于
IGBT的，例如，在检测位置和IGBT之间的差异在距离（该
源的热量）能引起采取停机发生的时间差。因此，该
芯片的温度可能会升高比最初的热关断温度高。
(2)
安全工作区
(A)
0.9
0.83
(A)
峰值电流绕组
0
电源电压
图1
V
BB
0
1.0
0.9
峰值电流绕组
0
400
(V)
450
0
电源电压
图2
V
BB
400
(V)
450
SOA在TJ
=
135°C
SOA在Tc
=
95°C
注1 ：上述安全工作区域是在TJ
=
135℃ （图1）与Tc
=
95℃（图2）。如果温度
超过这些，安全作业区降低。
注2 ：
上述安全工作领域包括过电流保护动作区。
11
2006-11-01
