砷化镓集成电路
PG2158T5K
L， S波段SPDT开关
描述
该
PG2158T5K是GaAs MMIC为L， S波段的SPDT （单刀双掷）开关，其被开发
用于移动电话和其他L， S波段应用。
该装置可以操作2个控制由控制电压1.8切换到5.3 V.该器件可从操作频率
0.05至3.0千兆赫，具有低插入损耗和高隔离度。
该器件采用6引脚塑料TSSON （超薄紧缩小型输出线无引脚）封装。这
包是能够高密度表面安装。
特点
开关控制电压
: V
续（H ）
= 1.8 5.3 V（ 2.7 V TYP 。 ）
: V
CONT （ L）
=
0.2
到+0.2 V（ 0 V TYP 。 ）
低插入损耗
: L
插件
1 = 0.40 dB典型值。 @ F = 0.05 1.0千兆赫，V
续（H ）
= 2.7 V, V
CONT （ L）
= 0 V
: L
插件
2 = 0.45 dB典型值。 @ F = 1.0 2.0千兆赫，V
续（H ）
= 2.7 V, V
CONT （ L）
= 0 V
: L
插件
3 = 0.00 dB典型值。 @ F = 2.0 2.5千兆赫，V
续（H ）
= 2.7 V, V
CONT （ L）
= 0 V
: L
插件
4 = 0.53 dB典型值。 @ F = 2.5 3.0千兆赫，V
续（H ）
= 2.7 V, V
CONT （ L）
= 0 V
高隔离度
： ISL1 = 27 dB典型值。 @ F = 0.05 1.0千兆赫，V
续（H ）
= 2.7 V, V
CONT （ L）
= 0 V
： ISL2 = 19 dB典型值。 @ F = 1.0 2.0千兆赫，V
续（H ）
= 2.7 V, V
CONT （ L）
= 0 V
： ISL3 = 17 dB典型值。 @ F = 2.0 2.5千兆赫，V
续（H ）
= 2.7 V, V
CONT （ L）
= 0 V
： ISL4 = 17 dB典型值。 @ F = 2.5 3.0千兆赫，V
续（H ）
= 2.7 V, V
CONT （ L）
= 0 V
承受功率
: P
在（0.1 dB为单位）
= 29.0 dBm的典型。 @ F = 2.0 / 2.5千兆赫，V
续（H ）
= 2.7 V, V
CONT （ L）
= 0 V
: P
在（1 dB）的
= 30.5 dBm的典型。 @ F = 2.0 / 2.5千兆赫，V
续（H ）
= 2.7 V, V
CONT （ L）
= 0 V
高密度表面安装： 6引脚塑料封装TSSON （ 1.0
×
1.0
×
0.37 mm)
应用
L ， S波段数字蜂窝或者无绳电话
TM
W- LAN ， WLL和蓝牙等。
订购信息
产品型号
订单号
包
6引脚塑料TSSON
（无铅）
记
记号
G2
供给方式
压纹带8mm宽
销1,6面带的穿孔侧
数量5千件/卷
PG2158T5K-E2
PG2158T5K-E2-A
记
随着关于终端焊料（焊料中含有铅）电镀制品（常规电镀） ，接触
您最近的销售部门。
备注
如需订购样品评价，请联系您最近的销售部门。
样品订购部件号：
PG2158T5K-A
当处理，因为这些器件对静电放电敏感小心遵守的注意事项。
一号文件PG10578EJ02V0DS （第2版）
发布日期2005年12月CP （ K）
商标
表示主要修改点。
