高电流PN半桥
BTS 7960
应用
6
6.1
应用
应用实例
微控制器
C
I / O
RESET
VDD
VSS
稳压器
WO
RO
Q
D
反接
保护
V
S
TLE
4278G
GND
I
I / O I / O I / O I / O
SPD
50P03L
BTS 7960B
INH
IN
IS
SR
GND
GND
OUT
VS
VS
BTS 7960B
INH
IN
OUT
IS
SR
M
大电流H桥
图11
应用举例： H桥的两个BTS 7960B
6.2
布局的注意事项
由于对高电流的快速切换时间，特别小心，必须采取到PCB
布局。杂散电感已经被最小化的功率电桥的设计，因为它是
有必要在所有开关高功率的桥梁。在BTS 7960对没有独立的引脚
电源地和逻辑地。因此，建议以确保偏置
转换速率电阻器的接地连接，所述电流检测电阻器之间
设备（ GND /引脚1 ）的接地引脚被最小化。如果在BTS 7960被用在H桥
或B6的桥梁设计中，电压之间的不同设备的GND的偏移
应小为好。
陶瓷电容器从VS到GND接近每个设备建议提供
电流通过低电感路径的切换相位，因此降低了噪音
和地反弹。该电容的合理值是大约470 nF的。
数字输入需要被保护，免受过量电流（例如，引起的感
电压尖峰）通过串联电阻为10 kΩ的范围内。
数据表
22
修订版1.1 ， 2004-12-07
