PROFET
BTS 442 E2
真值表
输入 -
水平
正常
手术
负载开路
短路
到GND
短路
到V
bb
Overtem-
perature
理解
电压
过压
L = "Low"水平
H = "High"水平
L
H
L
H
L
H
L
H
L
H
L
H
L
H
产量
水平
L
H
12
)
状态
442
D2
H
H
H
L
H
L
H
^ h （L
13)
)
L
L
14)
L
L
14)
L
L
442
E2
H
H
H
L
H
L
H
^ h （L
13)
)
L
L
H
H
H
H
H
L
L
H
H
L
L
L
L
L
L
条款
伊布
我
2
I ST
状态输出
+5V
3
IN
VBB
IL
冯
R
ST （ON）的
OUT
ST
PROFET
4
5
ST
GND
1
V
IN
VST
GND
IGND
VOUT
的ESD
ZD
V
bb
R
GND
输入电路（ ESD保护）
R
ESD -齐纳二极管： 6.1 V （典型值） ，最大5毫安;
R
ST （ON）的
＆ LT ; 250
1.6毫安， ESD齐纳二极管不
以用作电压钳位在直流条件。
操作在该模式下，可能会导致齐纳的漂移
电压（上升到1伏） 。
IN
I
的ESD
ZD
I1
ZD
I2
I
I
GND
ZD
I1
6.1 V （典型值） ，不被使用的ESD齐纳二极管
由于电压钳位在DC条件。操作本
模式可能导致齐纳电压的漂移
（增加高达1V） 。
12
)
13
)
14
)
功率晶体管关闭，高阻抗
低电阻短
V
bb
输出可通过空载检测被检测
在欠压关断无电流吸收能力
英飞凌科技股份公司
6
22.03.99
