CYStech电子股份有限公司
低V
CE （ SAT ）
NPN平面晶体管
规格。编号： C852B3
发行日期： 2004年5月28日
修订日期：
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BTD5765B3
特点
高电流能力
低集电极 - 发射极饱和电压
高允许功耗
应用
继电器驱动器，灯驱动器，电机驱动器，闪光
符号
BTD5765B3
B：基本
C：收藏家
E：发射器
绝对最大额定值
(Ta=25°C)
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流（ DC ）
集电极电流（脉冲）
集电极耗散功率
（注）
结温
储存温度
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CP
P
D
Tj
TSTG
范围
15
10
7
5
9
550
150
-55~+150
单位
V
V
V
A
A
mW
°C
°C
注意：当设备被安装在玻璃环氧树脂板，测量35毫米× 30毫米X20 1毫米。
BTD5765B3
CYStek产品规格
