CYStech电子股份有限公司
低V
CE （ SAT ）
NPN外延平面晶体管
规格。编号： C848N3 -A
发行日期： 2004年3月26日
修订日期： 2004年11月8日
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BTD2150N3
特点
低V
CE （ SAT ）
通常在0.25V我
C
/ I
B
= 2A / 0.1A
出色的电流增益特性
补充BTB1424N3
符号
BTD2150N3
概要
SOT-23
B：基本
C：收藏家
E：发射器
绝对最大额定值
(Ta=25°C)
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流（ DC ）
集电极电流（脉冲）
功耗
热阻，结到环境
结温
储存温度
注： 1。单脉冲PW ≦ 350μS ，占空比≦ 2 ％ 。
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CP
Pd
R
θJA
Tj
TSTG
极限
60
60
6
4
7
（注1 ）
225
556
150
-55~+150
单位
V
V
V
A
A
mW
° C / W
°C
°C
BTD2150N3
CYStek产品规格
