UT3401
典型特征（续）
栅极电荷特性
5
V
DS
=-15V
I
D
=-4A
1400
1200
功率MOSFET
电容特性
栅源电压， -V
GS
(V)
4
3
2
1
0
0
2
电容（pF）
1000
C
国际空间站
800
600
400
C
OSS
C
RSS
200
0
10
4
6
8
总栅极电荷，Q
g
（ NC ）
12
0
5
10
15
20
25
漏源电压， -V
DS
(V)
30
最大正向偏置安全
工作区（注4 ）
100.0
连续漏电流， -I
D
(A)
T
J（下MAX）的
=150°C
T
A
=25°C
40
单脉冲功率额定值
结到环境（注4 ）
T
J（下最大）
=150°C
T
A
=25°C
10s
100s
1ms
30
功率（W）的
100
R
DS （ ON）
10.0有限
20
1.0
1s
10s
0.1s
10ms
10
DC
0.1
0.1
1
10
0
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1000
漏源电压， -V
DS
(V)
脉冲宽度（S ）
10
归一化瞬态热
电阻，Z
θJA
归一化的最大瞬态热
阻抗
D =吨
on
/T
T
，PK
=T
A
+P
DM
.Z
θJA
.R
θJA
R
θJA
=90°C/W
按降序排列
D=0.5, 0. 3, 0.1, 0.05, 0.02, 0.01,
单脉冲
1
注意：
3.获得的静态特性using80μs
脉冲占空比0.5 ％以下。
4.测量与执行
2
设备安装在1英寸的FR- 4板2盎司
铜，在静止空气环境和T
A
=25°C.
SOA的曲线提供了单个脉冲的评价
.
0.1
P
D
T
on
T
单脉冲
0.01
0.00001
0.0001
0. 001
0.01
0.1
1
10
100
1000
脉冲宽度（S ）
UNISONIC TECHNOLOGIES CO 。 ， LTD。
www.unisonic.com.tw
4 5
QW-R502-109,A
