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WS512K32 - XXX /
EDI8C32512CA
绝对最大额定值
参数
工作温度
储存温度
信号电压相对于GND
结温
电源电压
符号
T
A
T
英镑
V
G
T
J
V
CC
-0.5
-55
-65
-0.5
最大
+125
+150
Vcc+0.5
150
7.0
单位
°C
°C
V
°C
V
CS
H
L
L
L
OE
X
L
H
X
WE
X
H
H
L
真值表
模式
待机
输出禁用
数据I / O
高Z
数据输出
高Z
DATA IN
动力
待机
活跃
活跃
活跃
推荐工作条件
参数
电源电压
输入高电压
输入低电压
工作温度( MIL)
符号
V
CC
V
IH
V
IL
T
A
4.5
2.2
-0.5
-55
最大
5.5
V
CC
+ 0.3
+0.8
+125
单位
V
V
V
°C
参数
OE电容
WE
1-4
电容
HIP ( PGA )
CQFP G4T
CQFP G2T / E
CS
1-4
电容
数据I / O容量
地址输入电容
电容
(T
A
= +25°C)
符号
C
OE
C
WE
条件
V
IN
= 0 V , F = 1.0 MHz的
V
IN
= 0 V , F = 1.0 MHz的
20
50
20
C
CS
C
I / O
C
AD
V
IN
= 0 V , F = 1.0 MHz的
V
I / O
= 0 V , F = 1.0 MHz的
V
IN
= 0 V , F = 1.0 MHz的
20
20
50
pF
pF
pF
最大
50
单位
pF
pF
此参数由设计保证,但未经测试。
DC特性
(V
CC
= 5.0V, V
SS
= 0V ,T
A
= -55 ° C至+ 125°C )
参数
输入漏电流
输出漏电流
工作电源电流×32模式
待机电流
输出低电压
输出高电压
符号
I
LI
I
LO
I
CC ×32
I
SB
V
OL
V
OH
条件
V
CC
= 5.5, V
IN
= G
ND
到V
CC
CS = V
IH
, OE = V
IH
, V
OUT
= GND到V
CC
CS = V
IL
, OE = V
IH
中,f = 5MHz时, VCC = 5.5
CS = V
IH
, OE = V
IH
中,f = 5MHz时, VCC = 5.5
I
OL
= 8毫安15 - 为35ns ,
I
OL
= 2.1毫安45 - 55ns , VCC = 4.5
I
OH
= -4.0mA 15 - 为35ns ,
I
OH
= -1.0mA 45 - 55ns , VCC = 4.5
2.4
最大
10
10
540
80
0.4
单位
A
A
mA
mA
V
V
注: DC测试条件: V
IH
= V
CC
-0.3V, V
IL
= 0.3V
数据保持特性
(T
A
= -55 ° C至+ 125°C )
参数
数据保持电源电压
数据保持电流
符号
V
DR
I
CCDR1
条件
CS
V
CC
-0.2V
V
CC
= 3V
2.0
3.2
典型值
最大
5.5
28*
V
mA
单位
*在低功率版本也已经推出,请致电厂家的信息。
3
怀特电子设计公司凤凰城,亚利桑那州 ( 602 ) 437-1520

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