ZXTDE4M832
NPN晶体管
电气特性
（在T
AMB
= 25 ° C除非另有说明） 。
参数
集电极 - 基极击穿
电压
集电极 - 发射极击穿
电压
发射极 - 基极击穿电压
集电极截止电流
发射极截止电流
集电极发射极截止电流
集电极 - 发射极饱和
电压
符号
V
（ BR ） CBO
V
（ BR ） CEO
V
（ BR ） EBO
I
CBO
I
EBO
I
CES
V
CE （ SAT ）
15
45
145
160
240
1.09
0.96
200
300
110
60
20
100
450
450
170
90
30
10
160
11.5
86
1128
18
分钟。
100
80
7.5
典型值。
180
110
8.2
25
25
25
20
60
185
200
325
1.175
1.05
900
马克斯。
单位
V
V
V
nA
nA
nA
mV
mV
mV
mV
mV
V
V
条件。
I
C
=100 A
I
C
=10mA*
I
E
=100 A
V
CB
=80V
V
EB
=6V
V
CE
=65V
I
C
= 0.1A ，我
B
=10mA*
I
C
= 0.5A ，我
B
=50mA*
I
C
= 1A ，我
B
=20mA
I
C
= 1.5A ，我
B
=50mA
I
C
= 3.5A ，我
B
=300mA
I
C
= 3.5A ，我
B
=300mA*
I
C
= 3.5A ，V
CE
=2V*
I
C
= 10毫安，V
CE
=2V*
I
C
=的200mA， V
CE
=2V*
I
C
= 1A ，V
CE
=2V*
I
C
= 1.5A ，V
CE
=2V*
I
C
= 3A ，V
CE
=2V*
I
C
= 5A ，V
CE
=2V*
兆赫
pF
ns
ns
I
C
= 50mA时V
CE
=10V
f=100MHz
V
CB
= 10V ， F = 1MHz的
V
CC
= 10V ，我
C
=1A
I
B1
=I
B2
=25mA
基射极饱和电压
基射极导通电压
静态正向电流传输
比
V
BE （ SAT ）
V
BE（上）
h
FE
跃迁频率
输出电容
开启时间
打开-O FF时间
f
T
C
敖包
t
（上）
t
（关闭）
*脉冲条件下进行测定。
第1期 - 2002年6月
4
