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bq20z80
bq20z80A
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SLUS782 - 2007年7月
DATA FLASH存储器特性
V
DD
= 3 V至3.6 V ，T
A
= -40 ℃至85 ℃（除非另有说明）
参数
t
DR
数据保留
闪存编程写周期
t
（ WORDPROG ）
字编程时间
I
（ DDPROG ）
(1)
闪存的写入电流供应
SEE
SEE
SEE
SEE
(1)
(1)
(1)
(1)
测试条件
民
10
20,000
典型值
最大
单位
岁月
周期
2
8
15
ms
mA
按设计规定。未经生产测试
注册备份
V
DD
= 3 V至3.6 V ，T
A
= -40 ℃至85 ℃（除非另有说明）
参数
I
（ RBI）
V
（ RBI）
(1)
印度储备银行数据保持输入电流
印度储备银行的数据保持电压
(1)
测试条件
V
（ RBI）
> 3 V ，V
DD
＆ LT ; V
IT
民
1.3
典型值
10
最大
100
单位
nA
V
按设计规定。未经生产测试。
6
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