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bq2011
注册备份
该bq2011打点输入引脚旨在与一个用于
存储电容器提供的备份潜在的互
最终bq2011寄存器时， V
CC
暂时低于
3.0V. V
CC
是打点当V输出
CC
高于3.0V 。
经过V
CC
高于3.0V时， bq2011检查接口
最终寄存器中的数据丢失或损坏。如果数据具有
改变，那么NAC和FULCNT寄存器
清零， LMD寄存器装入的初始
PFC 。
电量显示翻译。的温度范围是
可在超过10℃的增量串行端口
如下图所示：
TMPGG （十六进制）
0x
1x
2x
3x
4x
5x
6x
7x
8x
9x
Ax
Bx
Cx
温度范围
< -30℃
-30℃ -20℃
-20℃至-10 ℃的
-10℃至0℃下
0 ℃至10 ℃的
10 ℃至20 ℃的
20C到30C
30℃至40℃的
40 ℃至50 ℃的
50℃至60℃的
60℃至70 ℃的
70 ℃至80 ℃的
> 80℃
阈值电压
在监控V一起
SR
为充电/放电
电流时， bq2011监测单节电池供电宝
势通过SB引脚。的单电池电压宝
势是通过一个电阻分压器网络决定
根据下列等式：
RB
1
=
N
1
RB
2
其中，N是细胞数，RB
1
被连接到
正极电池端子，且RB
2
被连接到
蓄电池负极端子。单节电池电压
年龄被监测放电终止电压（ EDV）
和为最大电池电压（MCV） 。该EDV阈值
老水平被用于确定当该电池具有
达到了一个“空”状态，并且MCV阈值用于
用于故障检测的充电期间。该EDV和MCV
阈值的bq2011被固定于：
V
EDV
= 0.90V
V
MCV
= 2.00V
在放电和充电时， bq2011监视V
SR
对各种阈值，V
SR1
–V
SR4
。这些阈值是
用于补偿的充电和放电速率。 REF-
呃，以了解详细信息放电补偿款。
如果V EDV监控被禁用
SR
＆ GT ; V
SR1
（ 50mV的典型值）
并恢复V 1秒后
SR
降回到低于V
SR1
.
布局的注意事项
该bq2011测量之间的电压差
将SR和V
SS
销。 V
OS
在SR（偏移电压
针）有很大的影响的PC板布局。为了获得最佳的
结果， PC板布局应遵循严格的规则
的单点接地回路。分享高电流
地面用小信号接地不良的原因
噪音小信号节点上。另外：
n
RESET
该bq2011承认一个有效的，只要电池V
SB
is
大于0.1V的典型。 V
SB
从下面0.25V上升
重置设备。复位也可通过一
命令通过串行端口在复位描述
注册部分。
电容器（ SB和V
CC
）应放置在靠近
尽可能地在SB和V
CC
销，分别与
其路径为V
SS
应尽可能地短。一
0.1μF的高品质陶瓷电容建议
对于V
CC
.
检流电阻（R
S
）应尽可能靠近
到bq2011 。
在RC上的SR引脚应尽可能靠近
能够在SR引脚。的最大R不应该
超过20K 。
n
温度
n
该bq2011内部确定的温度
从-35 ° C至+ 85°C为中心的10 ℃的步骤。该温度
TURE的步骤是用来适应的充电和放电速率
补偿，自放电计数，并提供
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