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bq2011
将W / R的值是:
CMDR位
7
W / R
6
-
5
-
4
-
3
-
2
-
1
-
0
-
7
-
6
BRP
5
-
本BRP值是:
FLGS1位
4
-
3
-
2
-
1
-
0
-
其中,W / R为:
0
该bq2011输出请求的寄存器
由的地址部分中指定的内容
CMDR 。
以下八个位应写
到由地址指定的寄存器por-
化CMDR的。
其中, BRP是:
0
1
bq2011充电,直到NAC = LMD或解散
充电,直到EDV标志被认定
SB从下面0.1V上升,或串行端口
发生复位启动
1
CMDR的低7位字段中包含的地址
被访问的寄存器的一部分。尝试写
无效的地址将被忽略。
CMDR位
7
-
6
5
4
AD4
3
AD3
2
AD2
1
AD1
0
AD0
( LSB )
最大电池电压
标志( MCV)被置
每当在SB销的电位(相对于V
SS
)是
上面的2.0V 。该MCV标志置位,直到条件
化引起的MCV被除去。
所述的MCV值是:
FLGS1位
7
-
6
-
5
MCV
4
-
3
-
2
-
1
-
0
-
AD6 AD5
初级状态标志寄存器( FLGS1 )
只读FLGS1寄存器(地址= 01H )包含
主要bq2011标志。
充电状态
标志( CHGS )被断言时,
有效充电率进行检测。费率被认为是
有效的当V
SRO
< -400μV 。 A V
SRO
更大的不包括─
400μV或放电活动清除CHGS 。
该CHGS值是:
FLGS1位
7
CHGS
6
-
5
-
4
-
3
-
2
-
1
-
0
-
其中, MCV是:
0
1
V
SB
& LT ; 2.0V
V
SB
& GT ; 2.0V
容量不准确
标志( CI)的使用,以警告
用户电池已经充电大幅
次自LMD号已被更新。在CI
标志在最后的LMD后上认定的第64充电
更新或者当bq2011复位。该标志被清除
后LMD更新。
在CI值是:
FLGS1位
7
-
6
-
5
-
4
CI
3
-
2
-
1
-
0
-
凡CHGS是:
0
1
无论是放电活动检测或V
SRO
& GT ;
-400V
V
SRO
< -400μV
其中, CI为:
0
1
当LMD是一个有效的完整显示更新
充电或bq2011复位
之后的第64个有效的行动负责,没有
LMD更新
电池更换
标志( BRP )是断言,只要
在SB销的电位(相对于V
SS
), V
SB
,上升
上述0.1V并决定内部寄存器具有
被损坏。该BRP标志也被设置时,
bq2011复位(见RST寄存器的描述) 。 BRP
被锁定,直到该bq2011充电,直到NAC
= LMD或放电,直至EDV为止。 BRP = 1
表示该设备已被复位。
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