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EDI88128C
HI-可靠性产品
128Kx8单片SRAM ， SMD 5962-89598
特点
s
70访问时间， 85 ， 100纳秒
s
可提供单芯片选择（ EDI88128 ）或双芯片
选择（ EDI88130 ）
s
2V数据保留（ LP版本）
s
CS和OE功能的总线控制
s
TTL兼容的输入和输出
s
完全静态的，并没有时钟
s
组织为128Kx8
s
工业，军用和商用温度范围
s
通孔和表面贴装封装引脚JEDEC
32引脚陶瓷DIP ， 0.6密耳宽（包9 ）
32引线陶瓷ZIP （ 100包）
32引线陶瓷SOJ （ 140包）
s
单+ 5V （ ± 10 ％ ）电源供电
该EDI88128C是一款高速，高性能，单片
CMOS静态RAM组织为128Kx8 。
该装置也可作为EDI88130C与附加芯片
选择线（CS
2
），它会自动断电装置
当施加适当的逻辑电平。
第二芯片选择线（CS
2
）可以用来提供系统
断电在非电池中存储的安全备份
在内存的银行系统和simplifiy解码方案
在需要大的多个页面的存储器。
该EDI88128C和EDI88130C有八个双向IN-
把输出线，以提供同时访问所有的位在一个
字。了自动断电功能允许芯片上的
电路进入一个非常低的待机模式，并带回
投入运行的速度相等的地址存取时间。
低功率版本， EDI88128LP和EDI88130LP ，提供2V数据
保持功能的电池备份opperation 。军队的精良
UCT提供符合MIL -PRF- 38535的附录A中。
图。 1
引脚配置
引脚说明
32 DIP
32 SOJ
32 ZIP
I / O
0-7
A
0-16
WE
数据输入/输出
地址输入
写使能
芯片选择
OUTPUT ENABLE
电源（ + 5V
±10%)
地
没有连接
顶视图
NC
A16
A14
A12
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A
I / O-
I/O1
I/O2
V
SS
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
V
CC
A15
NC/CS2*
WE
A13
A8
A9
A11
OE
A10
CS1
I/O7
I/O6
I/O5
I/O4
I/O3
NC
A16
A14
A12
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A
I / O-
I/O1
I/O2
V
SS
顶视图
1
3
5
7
9
11
13
15
17
19
21
23
25
27
29
31
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
22
24
26
28
30
32
V
CC
A15
NC/CS2*
WE
A13
A8
A9
A11
OE
A10
CS1
I/O7
I/O6
I/O5
I/O4
I/O3
CS
1
， CS
2
OE
V
CC
V
SS
NC
框图
存储阵列
A
-16
地址
卜FF器
地址
解码器
I / O
电路
I / O
-7
WE
CS
1
CS
2
OE
*引脚30是NC的88128或CS
2
为88130 。
1999年7月13牧师
1
怀特电子设计公司 （ 602 ） 437-1520 www.whiteedc.com
