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的SuI P P L E M E N牛逼
概述
该Am29F200B在已知合格芯片（ KGD ）的形式是
2兆， 5.0伏只闪存。 AMD KGD的定义
作为标准产品裸片形式，测试功能
和速度。 AMD KGD产品具有相同的可靠性
能力素质作为AMD的产品包装形式。
前执行擦除操作。在擦除，
自动装置倍擦除脉冲宽度
并验证正确的电池余量。
主机系统可以检测是否一个程序或
擦除操作完成，通过观察RY / BY ＃
销，或通过阅读DQ7 （数据＃投票）和DQ6 /
DQ2 （切换）
状态位。
编程或擦除后
周期已经完成，该装置已准备好读取
阵列中的数据或者接受另一个命令。
该
扇区擦除架构
让内存部门
要被擦除和重新编程，而不会影响
其他部门的数据内容。该装置是完全
从工厂发货时被擦除。
硬件数据保护
措施包括一个低
V
CC
探测器可以自动抑制写操作
在电源转换系统蒸发散。该
硬件部门
保护
功能禁用这两个编程和擦除
在内存的部门的任何组合操作
ORY 。这可以通过编程设备来实现。
该
擦除挂起
特征使用户能够把
清除搁置任何一段时间内读取数据，
或不选择程序数据，任何扇区
擦除。真实背景擦除因此可以实现。
该
硬件RESET ＃引脚
终止任何操作
在进行中，内部状态机复位到
读阵列数据。在RESET ＃引脚可连接到
系统复位电路。因此，一个系统复位也会
复位装置，使系统微处理器
读取从Flash存储器的引导固件。
该系统可将设备投入的
待机模式。
功率消耗在这种模式下大大降低。
AMD的闪存技术，结合多年闪存存储器的
储器制造经验，生产的最高列弗
ELS的质量，可靠性和成本效益。该装置
电擦除一个扇区内的所有位simulta-
通过neously福勒- Nordheim隧穿。该数据是
用热电子注入编程。
Am29F200B特点
该Am29F200B组织为262,144字节8
每个位或每16位131,072字。 8位
数据显示在DQ0 - DQ7 ; 16位的数据出现在
DQ0 - DQ15 。本设备被设计为被编程
在系统与标准系统5.0伏V
CC
供应量。 12.0伏V
PP
不需要程序或
擦除操作。
在KGD形式的标准Am29F200B提供
70 ， 90 ，或120纳秒，实现高速存取时间
微处理器无需等待状态运行。对
消除总线争用该设备具有单独的芯片
使能（CE ＃ ），写使能（WE ＃ ）和输出使能
（ OE ＃ ）控制。
只有一个设备需要
单5.0伏电源支持
股
用于读取和写入功能。内部gener-
被提供给ated和稳压电压
编程和擦除操作。
该设备完全指令集的兼容
JEDEC单电源闪存标准。
COM-
要求主要通过标写入命令寄存器
准微处理器写时序。寄存器的内容
作为输入到一个内部状态机是CON组
指令对擦除和编程电路。写周期
还在内部锁存器需要的地址和数据
编程和擦除操作。读出数据
该装置类似于读取来自其他闪存或
EPROM器件。
器件编程时通过执行程序
命令序列。这将启动
嵌入式
节目
算法的内部算法，自动
matically次编程脉冲宽度和验证
适当的细胞保证金。
设备出现擦除通过执行擦除的COM
命令序列。这将启动
嵌入式擦除
算法的内部算法，可以自动
preprograms阵列（如果它尚未被编程）
电气规格
请参考Am29F200B数据表，数字出版
21526 ，完整的电气规范的Am29F200B 。
产品选择指南
系列型号
速度选项（V
CC
= 5.0 V
±
10%)
最大访问时间， NS （T
加
)
最大CE＃访问时间， NS （T
CE
)
最大OE ＃访问时间， NS （T
OE
)
-75
(V
CC
= 5.0 V
±
5%)
70
70
30
Am29F200B KGD
-90
90
90
35
-120
120
120
50
2
Am29F200B已知合格芯片
