位置：首页 > IC型号导航 > 首字符Q型号页 > 首字符Q的型号第100页 > Q67042-S4166 > Q67042-S4166 PDF资料 > Q67042-S4166 PDF资料1第6页
SPP15P10P
9漏源导通电阻
R
DS （ ON）
=
f
(T
j
)
参数：
I
D
= -10.6 A,
V
GS
= -10 V
SPP15P10P
10典型。栅极阈值电压
V
GS （ TH）
=
f
（ TJ ）
参数：
V
GS
=
V
DS
5.2
0.75
4.4
0.6
4
3.6
0.5
0.45
0.4
0.35
0.3
0.25
0.2
0.15
0.1
0.05
0
-60
-20
20
60
100
140
°C
98%
R
DS （ ON）
0.55
3.2
2.8
2.4
2%
典型值。
98%
2
1.6
典型值
1.2
0.8
0.4
200
0
-60
-20
20
60
100
180
T
j
11典型。电容
C
=
f
(V
DS
)
参数：
V
GS
=0,
f=1
兆赫，
T
J = 25℃
10
4
12前进的性格。反向二极管
I
F
=
f
(V
SD
)
参数：
T
j
-10
2
SPP15P10P
pF
A
C
国际空间站
10
3
-10
1
C
C
OSS
10
2
C
RSS
I
F
-10
0
T
j
= 25°C （典型值）
T
j
= 175℃ （典型值）
T
j
= 25 °C (98%)
T
j
= 175 °C (98%)
10
1
0
-10
-1
0
4
8
12
16
20
24
28
V
36
-0.4
-0.8
-1.2
-1.6
-2
-2.4
V
-3
-V
DS
修订版1.2
第6页
V
SD
2005-02-11
