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初步数据表
硅晶体管
2SC5369
NPN外延硅晶体管
微波放大
特点
高F
T
14 GHz的典型。
高增益
| S
21
e |
2
包装尺寸（单位：mm ）
2.1±0.1
1.25±0.1
0.2
–0
+0.1
= 14 dB典型值。
1
0.65 0.65
2.0±0.2
6
4
5
@f = 2千兆赫，V
CE
= 3 V，I
C
= 10毫安
1.3
NF = 1.3 dB时， @f = 2千兆赫，V
CE
= 3 V，I
C
= 3毫安
6针小型微型封装模具
绝对最大额定值（T
A
= 25
°
C)
0.9±0.1
参数
集电极 - 基极电压
集电极到发射极电压
发射器基极电压
集电极电流
总功耗
结温
储存温度
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
P
T
T
I
T
英镑
等级
9
6
2
30
150
150
-65到+150
单位
V
V
V
mA
mW
°C
°C
0.7
3
2
引脚连接
1.发射器
2.辐射源
3. BASE
4.发射器
5.发射
6.集热器
一号文件P11644EJ1V0DS00 （第1版）
发布日期1996年P月
日本印刷
0-0.1
0.15
–0
+0.1
1996
