2SC1162
电气特性
（ TA = 25°C ）
项
集电极基极击穿
电压
符号
V
（ BR ） CBO
民
35
35
5
—
1
典型值
—
—
—
—
—
—
0.93
0.5
180
最大
—
—
—
20
320
—
1.5
1.0
—
单位
V
V
V
A
测试条件
I
C
= 1毫安，我
E
= 0
I
C
= 10毫安，R
BE
=
∞
I
E
= 1毫安，我
C
= 0
V
CB
= 35 V，I
E
= 0
V
CE
= 2 V，I
C
= 0.5 A
V
CE
= 2 V，I
C
= 1.5 A
（脉冲测试）
集电极到发射极击穿V
（ BR ） CEO
电压
发射器基极击穿
电压
收藏家Cuto FF电流
直流电流传输比
V
（ BR ） EBO
I
CBO
h
FE
*
h
FE
基地发射极电压
集电极到发射极饱和
电压
增益带宽积
注意：
B
60至120
V
BE
V
CE （ SAT ）
f
T
60
20
—
—
—
V
V
兆赫
V
CE
= 2 V，I
C
= 1.5 A
（脉冲测试）
I
C
= 2 A，I
B
= 0.2 A （脉冲
测试）
V
CE
= 2 V，I
C
= 0.2 A
1. 2SC1162用h分组
FE
如下。
C
100至200
D
160到320
最大集电极耗散曲线
0.8
集电极耗散功率P
C
(W)
0.75
集电极电流I
C
(A)
0.6
5
安全工作区
I
C（最大值）
（直流操作）
2
P
C
=
10
T
C
= 25°C
1.0
0.5
W
0.4
0.2
0.2
0.1
0
50
100
150
环境温度Ta （C ）
200
1
5
20
50
2
10
集电极到发射极电压V
CE
(V)
2
