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AZ10EP16VS
AZ100EP16VS
100K ECL直流特性
(V
EE
= -3.0V至-3.6V ，V
CC
= GND）
符号
V
OH
特征
输出高电压
1
输出低电压
1,2
V
OL
V
CTRL
= V
REF
-1950
-1700 -1950
BOOST = V
EE
输出低电压
1,2
V
OL
V
CTRL
= V
CC
-1200
-940
-1190
BOOST = V
EE
输出低电压
1,3
V
OL
V
CTRL
= NC -1900
-1640 -1890
BOOST = NC
参考电压
2
V
REF
-1650
-1450 -1650
V
BB
/V
REF
BOOST = V
EE
参考电压
3
V
BB
/V
REF
-1440
-1320 -1380
BOOST = NC
输入高电流
I
IH
80
D,D
V
CTRL
400
输入低电平电流
0.5
0.5
I
IL
I
EE
电源电流
20
26
35
21
27
1.
每个输出通过一个50Ω电阻至V终止
CC
– 2V.
2.
BOOST内部结合到V
EE
同时为8 SOIC和TSSOP 8封装。
3.
支持只MLP 16封装。
民
-1130
-40°C
典型值
最大
-840
民
-1090
0°C
典型值
最大
-840
-1700
民
-1090
-1950
25°C
典型值
最大
-840
-1700
民
-1090
-1950
85°C
典型值
最大
-840
-1700
单位
mV
mV
-940
-1190
-940
-1190
-940
mV
-1640
-1450
-1260
80
400
36
-1890
-1650
-1380
-1550
-1640
-1450
-1260
80
400
-1890
-1650
-1380
-1640
-1450
-1260
80
400
mV
mV
mV
μA
μA
mA
0.5
22
28
38
0.5
25
31
41
100K LVPECL直流特性
(V
EE
= GND ，V
CC
= +3.3V)
符号
V
OH
特征
输出高电压
1,2
输出低电压
1,2,3
V
OL
V
CTRL
= V
REF
1350
1600
1350
1600
1350
BOOST = V
EE
输出低电压
1,2,3
V
OL
2100
2360
2110
2360
2110
V
CTRL
= V
CC
BOOST = V
EE
输出低电压
1,3,4
V
OL
V
CTRL
= NC
1410
1660
1410
1660
1410
BOOST = NC
参考电压
3
V
REF
1650
1850
1650
1850
1650
V
BB
/V
REF
BOOST = V
EE
参考电压
4
1860
1980
1920
2040
1920
V
BB
/V
REF
BOOST = NC
输入高电流
80
80
I
IH
D,D
V
CTRL
400
400
输入低电平电流
0.5
0.5
0.5
I
IL
I
EE
电源电流
20
26
35
21
27
36
22
1.
对于其他的3.3V电源电压，使用ECL表值和ADD的电源电压值。
2.
每个输出通过一个50Ω电阻至V终止
CC
– 2V.
3.
BOOST内部结合到V
EE
同时为8 SOIC和TSSOP 8封装。
4.
支持只MLP 16封装。
民
2170
-40°C
典型值
最大
2460
民
2210
0°C
典型值
最大
2460
民
2210
25°C
典型值
最大
2460
1600
民
2210
1350
85°C
典型值
最大
2460
1600
单位
mV
mV
2360
2110
2360
mV
1660
1850
2040
80
400
28
38
1410
1650
1920
1660
1850
2040
80
400
mV
mV
mV
μA
μA
mA
0.5
25
31
41
2007年7月* REV - 10
www.azmicrotek.com
4
