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1.进入JTAG指令PROG_COMMANDS 。
2.启用Flash中读取使用编程指令3A 。
3.使用编程指令3b所示， 3c和3d加载页地址。 PCWORD （参见
to
表29-11 373页）
用于页内地址，并且必须被写为
0.
4.输入JTAG指令PROG_PAGEREAD 。
5.阅读整个页面（或闪存）通过把所有指令字中的页面（或
闪光灯） ，开始与在页面（闪光的第一条指令的LSB）和结尾
的最后一个指令的页面中的MSB （闪光灯） 。在Capture-DR状态既捕获
从闪存中的数据，并且还自动递增，每个字后，程序计数器
被读出。需要注意的是捕捉-DR配备了shift-DR状态之前。因此，第一字节
它被移出包含有效的数据。
6.输入JTAG指令PROG_COMMANDS 。
7.重复步骤3到6 ，直到所有的数据都被读取。
29.9.18
EEPROM编程
在编程EEPROM芯片擦除命令必须执行，请参阅“执行芯片
抹掉“ 397页。
1.进入JTAG指令PROG_COMMANDS 。
2.使用编程指令4A启用EEPROM写。
3.加载地址高字节使用编程指令4b所示。
4.加载地址低字节使用编程指令4C 。
使用编程指令4D和4E 5.负载数据。
在页面中的所有数据字节6.重复步骤4和5 。
7.编写使用编程指令4F的数据。
8.轮询的EEPROM写完整使用编程指令4G，或是等待吨
WLRH
（参照
表29-13 382页） 。
9.重复步骤3到8 ，直到所有的数据都被编程。
需要注意的是当编写EEPROM的PROG_PAGELOAD指令不能使用。
29.9.19
读取EEPROM
1.进入JTAG指令PROG_COMMANDS 。
2.启用EEPROM中读取使用编程指令5A 。
使用编程指令5B和5C 3.加载地址。
使用编程指令5D 4.读取数据。
5.重复步骤3和步骤4，直到所有的数据都被读取。
注意，读出EEPROM时PROG_PAGEREAD指令不能使用。
29.9.20
编程保险丝
1.进入JTAG指令PROG_COMMANDS 。
2.启用保险丝编写使用编程指令6A 。
3.加载数据使用编程6B说明高字节。 “ 0”计划的一个位值
相应的保险丝，一个“1”，将unprogram保险丝。
4.使用编程指令6C写熔丝位高位字节。
5.投票保险丝写出完整使用编程指令6D ，或等待吨
WLRH
（参照
表29-13 382页） 。
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AT90USB64/128
7593A–AVR–02/06
