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防止EEPROM
腐败
在低V的时期
CC
， EEPROM中的数据可以被破坏，因为电源电压
年龄过低，CPU和正确操作的EEPROM中。这些问题都是
一样使用独立的EEPROM器件的系统和相同的设计解决方案
应适用。
一个EEPROM数据损坏有两种情况引起，当电压过高
低。首先，常规的写序列到EEPROM需要一个最小的电压，以
正确操作。其次， CPU本身可以当执行指令不正确，
电源电压用于执行指令的太低。
EEPROM数据损坏的问题可以通过以下设计recommen-
dations （一个就足够了） ：
1.保持在供电不足的时期AVR RESET信号（低）
电压。这是最好的一个外部的低V做
CC
重置保护电路，经常
被称为欠压检测器（ BOD） 。请参考应用笔记AVR
180关于设计考虑上电复位和低电压
检测。
2.保持AVR内核处于掉电休眠模式下的低V时期
CC
。这
将防止CPU解码并执行指令，有效
地保护EEPROM寄存器被无意识。
3.存储常量在闪存中，如果有能力改变从内存中的内容
不是必需的软件。闪速存储器不能由CPU和意愿进行更新
不受损坏。
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AT90S/LS2323/2343
1004D–09/01
