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AT90S1200
EEPROM读/写
ACCESS
EEPROM的访问寄存器位于I / O空间。
写访问时间是在2.5的范围内 - 4毫秒，具体取决于在V
CC
电压。一
自定时功能，但是，可以让用户软件检测时的下一个字节可以是
写的。如果用户要写入EEPROM代码，一些必须的预防措施
服用。在严格的滤波电源，V
CC
有可能上升或下降缓慢在上电
上升/下降。这使得该设备在一段时间在一个电压运行低于
指定为最小为所用的时钟频率。在这些条件的CPU运行
系统蒸发散，很可能会导致程序计数器进行无意识的跳跃，并最终
执行EEPROM写代码。为了确保EEPROM的完整性，建议用户
使用外部欠压复位电路在这种情况下。
为了防止无意识的EEPROM写，具体写程序必须跟着
时序。请参阅“ EEPROM控制寄存器 - EECR ”第25页上的有关细节。
当EEPROM读取或写入时， CPU停止了前两个时钟周期
执行下一条指令。
EEPROM地址寄存器 -
EEAR
位
$1E
读/写
初始值
7
–
R
0
6
–
R
0
5
EEAR5
读/写
0
4
EEAR4
读/写
0
3
EEAR3
读/写
0
2
EEAR2
读/写
0
1
EEAR1
读/写
0
0
EEAR0
读/写
0
EEAR
第7位， 6 - Res：保留位
这些位是保留位在AT90S1200 ，读为零。
位5..0 - EEAR5..0 ： EEPROM地址
EEPROM地址寄存器（ EEAR5..0 ）指定的EEPROM地址64
字节EEPROM空间。 EEPROM的数据字节介于0和线性寻址
63.
EEPROM数据寄存器 -
EEDR
位
$1D
读/写
初始值
7
最高位
读/写
0
6
5
4
3
2
1
0
最低位
EEDR
读/写
0
读/写
0
读/写
0
读/写
0
读/写
0
读/写
0
读/写
0
位7..0 - EEDR7..0 ： EEPROM数据
对于EEPROM写操作， EEDR寄存器包含将要写入的数据
在EEPROM中的EEAR寄存器给出的地址。对于EEPROM读操作
化时， EEDR含有从EEPROM中读出由下式给出的地址中的数据
EEAR 。
EEPROM控制寄存器 -
EECR
位
$1C
读/写
初始值
7
–
R
0
6
–
R
0
5
–
R
0
4
–
R
0
3
–
R
0
2
–
R
0
1
EEWE
读/写
0
0
EERE
读/写
0
EECR
位7..2 - Res：保留位
这些位是保留位在AT90S1200 ，将永远被读作零。
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0838H–AVR–03/02
